창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ALD210800ASCL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ALD210800/A | |
| 주요제품 | Precision N-Channel EPAD® MOSFET Array | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Advanced Linear Devices Inc. | |
| 계열 | EPAD®, Zero Threshold™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 4 N 채널, 결합 쌍 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 10.6V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80mA | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 25옴 | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 10mV @ 10µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 15pF @ 5V | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 작동 온도 | 0°C ~ 70°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 16-SOIC | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 1014-1214 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ALD210800ASCL | |
| 관련 링크 | ALD2108, ALD210800ASCL 데이터 시트, Advanced Linear Devices Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | H5A02P-P16 | H5A02P-P16 HELIS SOP | H5A02P-P16.pdf | |
![]() | UPD4364-12L | UPD4364-12L NEC DIP | UPD4364-12L.pdf | |
![]() | BSW41A | BSW41A ORIGINAL CAN | BSW41A.pdf | |
![]() | 39VF010-704CNH | 39VF010-704CNH SST PLCC | 39VF010-704CNH.pdf | |
![]() | 54LS47J/883B | 54LS47J/883B NS DIP | 54LS47J/883B.pdf | |
![]() | LA7535 | LA7535 SANYO DIP20 | LA7535.pdf | |
![]() | LC60-0.25/0.25 | LC60-0.25/0.25 CYNEL SMD or Through Hole | LC60-0.25/0.25.pdf | |
![]() | GSL5009 | GSL5009 ORIGINAL CCXH | GSL5009.pdf | |
![]() | 33uf16VB | 33uf16VB avetron SMD or Through Hole | 33uf16VB.pdf | |
![]() | 74S188 | 74S188 NSC DIP | 74S188.pdf | |
![]() | PX1012AI-EL1/G | PX1012AI-EL1/G PHILIPS ORIGINAL | PX1012AI-EL1/G.pdf |