창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ALD210800APCL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ALD210800/A | |
| 주요제품 | Precision N-Channel EPAD® MOSFET Array | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Advanced Linear Devices Inc. | |
| 계열 | EPAD®, Zero Threshold™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 4 N 채널, 결합 쌍 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 10.6V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80mA | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 25옴 | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 10mV @ 10µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 15pF @ 5V | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 작동 온도 | 0°C ~ 70°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 16-DIP(0.300", 7.62mm) | |
| 공급 장치 패키지 | 16-PDIP | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 1014-1216 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ALD210800APCL | |
| 관련 링크 | ALD2108, ALD210800APCL 데이터 시트, Advanced Linear Devices Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | MKP385310025JB02W0 | 10000pF Film Capacitor 160V 250V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.283" L x 0.138" W (7.20mm x 3.50mm) | MKP385310025JB02W0.pdf | |
![]() | Y145324K0000V9L | RES 24K OHM 0.6W 0.005% RADIAL | Y145324K0000V9L.pdf | |
![]() | TOP227Y(C) | TOP227Y(C) POWER dip | TOP227Y(C).pdf | |
![]() | 580769 | 580769 M SMD or Through Hole | 580769.pdf | |
![]() | 74LS86D | 74LS86D PHI SOP3.9 | 74LS86D.pdf | |
![]() | LH532KOS | LH532KOS SHARP DIP | LH532KOS.pdf | |
![]() | WW25MR006FTL | WW25MR006FTL ORIGINAL SMD or Through Hole | WW25MR006FTL.pdf | |
![]() | KGT25N120ND | KGT25N120ND KEC SMD or Through Hole | KGT25N120ND.pdf | |
![]() | Q62703Q4690B200 | Q62703Q4690B200 OSRAM SMD | Q62703Q4690B200.pdf | |
![]() | RM06JT470OHM | RM06JT470OHM PTTAI ROHS | RM06JT470OHM.pdf |