창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ALD210800APCL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ALD210800/A | |
| 주요제품 | Precision N-Channel EPAD® MOSFET Array | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Advanced Linear Devices Inc. | |
| 계열 | EPAD®, Zero Threshold™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 4 N 채널, 결합 쌍 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 10.6V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80mA | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 25옴 | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 10mV @ 10µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 15pF @ 5V | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 작동 온도 | 0°C ~ 70°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 16-DIP(0.300", 7.62mm) | |
| 공급 장치 패키지 | 16-PDIP | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 1014-1216 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ALD210800APCL | |
| 관련 링크 | ALD2108, ALD210800APCL 데이터 시트, Advanced Linear Devices Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | CA0002560R0JS70 | RES 560 OHM 2W 5% AXIAL | CA0002560R0JS70.pdf | |
![]() | UVX1J4R7MDA | UVX1J4R7MDA NICHICON SMD or Through Hole | UVX1J4R7MDA.pdf | |
![]() | QMV298DT5 | QMV298DT5 NQRTEL PLCC-44 | QMV298DT5.pdf | |
![]() | G43ATB101 | G43ATB101 TOKYOCOSMOS SMD or Through Hole | G43ATB101.pdf | |
![]() | V2355281979S122 | V2355281979S122 Tyco con | V2355281979S122.pdf | |
![]() | LMH0044SQ/S250-BR-LF | LMH0044SQ/S250-BR-LF NS SMD or Through Hole | LMH0044SQ/S250-BR-LF.pdf | |
![]() | MURF840CT | MURF840CT TAIWAN TO-220F | MURF840CT.pdf | |
![]() | 971757P1 | 971757P1 ORIGINAL SMD16 | 971757P1.pdf | |
![]() | PM139Y/QMLR | PM139Y/QMLR AD CDIP | PM139Y/QMLR.pdf | |
![]() | 2SC4900 | 2SC4900 HITACHI SMD or Through Hole | 2SC4900.pdf | |
![]() | KAG00600SA | KAG00600SA SAMSUNG BGA | KAG00600SA.pdf | |
![]() | DTC115EE GZ TL | DTC115EE GZ TL ROHM SMD or Through Hole | DTC115EE GZ TL.pdf |