창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ALD114935PAL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ALD114835,935 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Advanced Linear Devices Inc. | |
| 계열 | EPAD® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N 채널(이중) 결합 쌍 | |
| FET 특징 | 공핍 모드 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 10.6V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12mA, 3mA | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 540옴 @ 0V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.45V @ 1µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2.5pF @ 5V | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 작동 온도 | 0°C ~ 70°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 8-DIP(0.300", 7.62mm) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-PDIP | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 1014-1067 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ALD114935PAL | |
| 관련 링크 | ALD1149, ALD114935PAL 데이터 시트, Advanced Linear Devices Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | 55GFMNJD150E | FUSE 5.5KV 150E DIN E RATE SQD | 55GFMNJD150E.pdf | |
![]() | CS325S18937500ABJT | 18.9375MHz ±30ppm 수정 18pF 120옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | CS325S18937500ABJT.pdf | |
![]() | FUA111FMQB KEMOTA | FUA111FMQB KEMOTA KEMOTA CDIP | FUA111FMQB KEMOTA.pdf | |
![]() | K303COSE48.000MR | K303COSE48.000MR KYOCERA (5 32) | K303COSE48.000MR.pdf | |
![]() | 0184494M05 | 0184494M05 MALAYSIA ZIP10 | 0184494M05.pdf | |
![]() | BA7654F-E2* | BA7654F-E2* ROHM SOP | BA7654F-E2*.pdf | |
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![]() | CY7C1018DV33-10VXI | CY7C1018DV33-10VXI CYPRESS CALL | CY7C1018DV33-10VXI.pdf | |
![]() | MD2100E | MD2100E MDV SMD or Through Hole | MD2100E.pdf | |
![]() | LE00AB | LE00AB ST SMD or Through Hole | LE00AB.pdf | |
![]() | FM5820-W | FM5820-W GC SMB | FM5820-W.pdf | |
![]() | TC55V2161FTI-85 | TC55V2161FTI-85 TOSHIBA SMD or Through Hole | TC55V2161FTI-85.pdf |