창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ALD114835PCL | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ALD114835,935 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Advanced Linear Devices Inc. | |
계열 | EPAD® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 4 N 채널, 결합 쌍 | |
FET 특징 | 공핍 모드 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 10.6V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12mA, 3mA | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 540옴 @ 0V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.45V @ 1µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2.5pF @ 5V | |
전력 - 최대 | 500mW | |
작동 온도 | 0°C ~ 70°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 16-DIP(0.300", 7.62mm) | |
공급 장치 패키지 | 16-PDIP | |
표준 포장 | 25 | |
다른 이름 | 1014-1059 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | ALD114835PCL | |
관련 링크 | ALD1148, ALD114835PCL 데이터 시트, Advanced Linear Devices Inc. 에이전트 유통 |
![]() | 3.0SMCJ36ATR | TVS DIODE 36VWM 58.1VC SMC | 3.0SMCJ36ATR.pdf | |
![]() | RR0510P-1870-D | RES SMD 187 OHM 0.5% 1/16W 0402 | RR0510P-1870-D.pdf | |
![]() | MCR50JZHF1331 | RES SMD 1.33K OHM 1% 1/2W 2010 | MCR50JZHF1331.pdf | |
![]() | TRM5935BN | TRM5935BN HIT DIP | TRM5935BN.pdf | |
![]() | IR2183STRPBF | IR2183STRPBF ir SOP-8 | IR2183STRPBF.pdf | |
![]() | SST28LF040200-4I-EH | SST28LF040200-4I-EH SST TSOP | SST28LF040200-4I-EH.pdf | |
![]() | LCA120LH | LCA120LH CPC DIP6 | LCA120LH.pdf | |
![]() | L08-3S-102JLF | L08-3S-102JLF IRCINC SMD | L08-3S-102JLF.pdf | |
![]() | VDZFST4R5.6B | VDZFST4R5.6B ROHM SMD or Through Hole | VDZFST4R5.6B.pdf | |
![]() | LFE2-50E-L-EV | LFE2-50E-L-EV LATTICE SMD or Through Hole | LFE2-50E-L-EV.pdf | |
![]() | LQG21N4R7K | LQG21N4R7K ORIGINAL SMD or Through Hole | LQG21N4R7K.pdf |