Advanced Linear Devices Inc. ALD1110ESAL

ALD1110ESAL
제조업체 부품 번호
ALD1110ESAL
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC
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내부 부품 번호EIS-ALD1110ESAL
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서ALD1108,10E
EDA/CAD 모델 Accelerated Designs에서 다운로드
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Advanced Linear Devices Inc.
계열EPAD®
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형2 N 채널(이중) 결합 쌍
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)10V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C-
Rds On(최대) @ Id, Vgs500옴 @ 5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1.01V @ 1µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs-
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds2.5pF @ 5V
전력 - 최대600mW
작동 온도0°C ~ 70°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
공급 장치 패키지8-SOIC
표준 포장 50
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)ALD1110ESAL
관련 링크ALD111, ALD1110ESAL 데이터 시트, Advanced Linear Devices Inc. 에이전트 유통
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