Advanced Linear Devices Inc. ALD1110ESAL
- 제조업체 부품 번호
- ALD1110ESAL
- 제조업 자
- Advanced Linear Devices Inc.
- 제품 카테고리
- FET - 어레이
- 간단한 설명
- MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC
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ALD1110ESAL 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
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창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
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- ₩ 3,363.82000
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ALD1110ESAL 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-ALD1110ESAL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ALD1108,10E | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Advanced Linear Devices Inc. | |
| 계열 | EPAD® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N 채널(이중) 결합 쌍 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 10V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 500옴 @ 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.01V @ 1µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2.5pF @ 5V | |
| 전력 - 최대 | 600mW | |
| 작동 온도 | 0°C ~ 70°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SOIC | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ALD1110ESAL | |
| 관련 링크 | ALD111, ALD1110ESAL 데이터 시트, Advanced Linear Devices Inc. 에이전트 유통 | |
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