창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AISC-1008F-3R3G-T | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | AISC-1008(F) Series Datasheet AISC-1008F Drawing | |
3D 모델 | AISC-1008F.pdf AISC-1008F.stp | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 인덕터, 코일, 초크 | |
제품군 | 고정 인덕터 | |
제조업체 | Abracon LLC | |
계열 | AISC-1008F | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
유형 | 권선 | |
소재 - 코어 | 페라이트 | |
유도 용량 | 3.3µH | |
허용 오차 | ±2% | |
정격 전류 | 450mA | |
전류 - 포화 | - | |
차폐 | 비차폐 | |
DC 저항(DCR) | 1.7옴최대 | |
Q @ 주파수 | 23 @ 50MHz | |
주파수 - 자기 공진 | 100MHz | |
등급 | - | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
주파수 - 테스트 | 7.9MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 1008(2520 미터법) | |
크기/치수 | 0.115" L x 0.110" W(2.92mm x 2.79mm) | |
높이 - 장착(최대) | 0.090"(2.29mm) | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | AISC-1008F-3R3G-TTR AISC1008F3R3GT | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | AISC-1008F-3R3G-T | |
관련 링크 | AISC-1008F, AISC-1008F-3R3G-T 데이터 시트, Abracon LLC 에이전트 유통 |
1210AC103KAT1B | 10000pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | 1210AC103KAT1B.pdf | ||
MLF2012A1R0MTD25 | 1µH Shielded Multilayer Inductor 80mA 300 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | MLF2012A1R0MTD25.pdf | ||
RSF200JB-73-110K | RES 110K OHM 2W 5% AXIAL | RSF200JB-73-110K.pdf | ||
J34218V00-90N | 3.6GHz Sector RF Antenna 3.4GHz ~ 3.8GHz 18.5dBi Connector, N Female Bracket Mount | J34218V00-90N.pdf | ||
BTB10_700B | BTB10_700B ST TO 220 | BTB10_700B.pdf | ||
DM206S1 | DM206S1 CONVERTER SMD or Through Hole | DM206S1.pdf | ||
EL5165IW-T7A | EL5165IW-T7A ELANTEC SMD or Through Hole | EL5165IW-T7A.pdf | ||
GT64010AP | GT64010AP GALILEO SMD or Through Hole | GT64010AP.pdf | ||
PIC10F222T-I/0T | PIC10F222T-I/0T MICROCHIP SMD or Through Hole | PIC10F222T-I/0T.pdf | ||
M37507EFFP | M37507EFFP MIT SMD or Through Hole | M37507EFFP.pdf | ||
WM82235 | WM82235 WOLFSON QFN-40 | WM82235.pdf | ||
LT1124CS8-1 | LT1124CS8-1 LT SO-8 | LT1124CS8-1.pdf |