창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-AH3766Q-SA-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | AH3766Q | |
| 종류 | 센서, 트랜스듀서 | |
| 제품군 | 자기 센서 - 스위치(무접점) | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q100 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 기능 | Verrou | |
| 기술 | 홀 효과 | |
| 분극 | S극 | |
| 감지 범위 | 14mT 트립, -14mT 릴리스 | |
| 테스트 조건 | -40°C ~ 150°C | |
| 전압 - 공급 | 3 V ~ 28 V | |
| 전류 - 공급(최대) | 4mA | |
| 전류 - 출력(최대) | 60mA | |
| 출력 유형 | 개방 드레인 | |
| 특징 | 온도 보상 | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TA) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | AH3766Q-SA-7DITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | AH3766Q-SA-7 | |
| 관련 링크 | AH3766Q, AH3766Q-SA-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | C2012X6S0G226M085AC | 22µF 4V 세라믹 커패시터 X6S 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C2012X6S0G226M085AC.pdf | |
![]() | K273M15X7RF5TL2 | 0.027µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | K273M15X7RF5TL2.pdf | |
![]() | 10HS23B823K | 0.082µF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.470" L x 0.270" W(11.94mm x 6.89mm) | 10HS23B823K.pdf | |
![]() | 445A3XG24M57600 | 24.576MHz ±30ppm 수정 30pF 40옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A3XG24M57600.pdf | |
![]() | SIT3809AC-D2-33NY-200.000000T | OSC XO 3.3V 200MHZ NC | SIT3809AC-D2-33NY-200.000000T.pdf | |
![]() | SCRH2D11-180 | 18µH Shielded Inductor 500mA 691 mOhm Max Nonstandard | SCRH2D11-180.pdf | |
![]() | Y163025K0000F0W | RES SMD 25K OHM 1% 1/4W 1206 | Y163025K0000F0W.pdf | |
![]() | EMVE630GTR331MMH0S | EMVE630GTR331MMH0S Chemi-con NA | EMVE630GTR331MMH0S.pdf | |
![]() | 16SEV10M3X5.5 | 16SEV10M3X5.5 Rubycon DIP-2 | 16SEV10M3X5.5.pdf | |
![]() | SF2026B | SF2026B ORIGINAL QFN | SF2026B.pdf | |
![]() | SBJ160808T-252Y-N | SBJ160808T-252Y-N CHILISIN SMD | SBJ160808T-252Y-N.pdf | |
![]() | C63133 02 | C63133 02 ORIGINAL BGA-163D | C63133 02.pdf |