창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AFV09P350-04NR3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | AFV09P350-04(G)NR3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF FET | |
제조업체 | Freescale Semiconductor - NXP | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | LDMOS(이중) | |
주파수 | 920MHz | |
이득 | 19.5dB | |
전압 - 테스트 | 48V | |
정격 전류 | - | |
잡음 지수 | - | |
전류 - 테스트 | 860mA | |
전력 - 출력 | 100W | |
전압 - 정격 | 105V | |
패키지/케이스 | OM780-4 | |
공급 장치 패키지 | OM780-4 | |
표준 포장 | 250 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | AFV09P350-04NR3 | |
관련 링크 | AFV09P350, AFV09P350-04NR3 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | AL01 | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL | AL01.pdf | |
![]() | RG2012V-5760-D-T5 | RES SMD 576 OHM 0.5% 1/8W 0805 | RG2012V-5760-D-T5.pdf | |
![]() | AOT-AEMWU | AOT-AEMWU AOT SMD or Through Hole | AOT-AEMWU.pdf | |
![]() | M68365-41 | M68365-41 MIT SIP-15P | M68365-41.pdf | |
![]() | BPL272S 9901 | BPL272S 9901 N/Y DIP42 | BPL272S 9901.pdf | |
![]() | MD13232-1-R | MD13232-1-R DS PLCC-44 | MD13232-1-R.pdf | |
![]() | HM65256BLFP-10T | HM65256BLFP-10T HIT SOP | HM65256BLFP-10T.pdf | |
![]() | K7A403200M-QC10000 | K7A403200M-QC10000 SAMSUNG SMD or Through Hole | K7A403200M-QC10000.pdf | |
![]() | LM1881N(ROHS+DIP8) | LM1881N(ROHS+DIP8) NS DIP | LM1881N(ROHS+DIP8).pdf | |
![]() | M29W324DB-70N6 | M29W324DB-70N6 ST TSOP | M29W324DB-70N6.pdf | |
![]() | SN65LVELT23D | SN65LVELT23D TI SMD or Through Hole | SN65LVELT23D.pdf | |
![]() | XC542802CFU | XC542802CFU MOT QFP | XC542802CFU.pdf |