창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AFT26P100-4WSR3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | AFT26P100-4WSR3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF FET | |
제조업체 | Freescale Semiconductor - NXP | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | LDMOS(이중) | |
주파수 | 2.69GHz | |
이득 | 15.1dB | |
전압 - 테스트 | 28V | |
정격 전류 | - | |
잡음 지수 | - | |
전류 - 테스트 | 200mA | |
전력 - 출력 | 22W | |
전압 - 정격 | 65V | |
패키지/케이스 | NI-780S-4 | |
공급 장치 패키지 | NI-780S-4 | |
표준 포장 | 250 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | AFT26P100-4WSR3 | |
관련 링크 | AFT26P100, AFT26P100-4WSR3 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | DEA1X3F181JA3B | 180pF 3150V(3.15kV) 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.433" Dia(11.00mm) | DEA1X3F181JA3B.pdf | |
![]() | GJM0335C1E9R6DB01J | 9.6pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GJM0335C1E9R6DB01J.pdf | |
![]() | FRS-R-1 | FUSE TRON DUAL ELEMENT FUSE CLAS | FRS-R-1.pdf | |
![]() | RT0402DRE074K02L | RES SMD 4.02KOHM 0.5% 1/16W 0402 | RT0402DRE074K02L.pdf | |
![]() | E2B-M30KN20-WP-B1 5M | Inductive Proximity Sensor 0.787" (20mm) IP67 Cylinder, Threaded - M30 | E2B-M30KN20-WP-B1 5M.pdf | |
![]() | NJM2562F1TE1 | NJM2562F1TE1 JRC SMD or Through Hole | NJM2562F1TE1.pdf | |
![]() | N2510-6003UB | N2510-6003UB M SMD or Through Hole | N2510-6003UB.pdf | |
![]() | BAW56S.115 | BAW56S.115 NXP SOT363 | BAW56S.115.pdf | |
![]() | MAX504ESD+T | MAX504ESD+T MAXIM SOP | MAX504ESD+T.pdf | |
![]() | 1-1437416-3 | 1-1437416-3 TYCO SMD or Through Hole | 1-1437416-3.pdf | |
![]() | FW21555-BA | FW21555-BA INTEL SMD or Through Hole | FW21555-BA.pdf | |
![]() | 22/03/2091 | 22/03/2091 MOLEX SMD or Through Hole | 22/03/2091.pdf |