창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-AFT20P060-4GNR3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | AFT20P060-4NR3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF FET | |
| 제조업체 | Freescale Semiconductor - NXP | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS(이중) | |
| 주파수 | 2.17GHz | |
| 이득 | 18.9dB | |
| 전압 - 테스트 | 28V | |
| 정격 전류 | - | |
| 잡음 지수 | - | |
| 전류 - 테스트 | 450mA | |
| 전력 - 출력 | 6.3W | |
| 전압 - 정격 | 65V | |
| 패키지/케이스 | OM-780G-4L | |
| 공급 장치 패키지 | OM-780G-4L | |
| 표준 포장 | 250 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | AFT20P060-4GNR3 | |
| 관련 링크 | AFT20P060, AFT20P060-4GNR3 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | HCF1305-2R2-R | 2.2µH Unshielded Wirewound Inductor 16.3A 3.1 mOhm Max Nonstandard | HCF1305-2R2-R.pdf | |
![]() | GM71C4256B-60 | GM71C4256B-60 GOLDSTAR DIP20 | GM71C4256B-60.pdf | |
![]() | MC100E15 | MC100E15 MOT SOP16 | MC100E15.pdf | |
![]() | LM346XMYE | LM346XMYE ORIGINAL SMD or Through Hole | LM346XMYE.pdf | |
![]() | MCF0603E0R75FSTR | MCF0603E0R75FSTR ORIGINAL SMD or Through Hole | MCF0603E0R75FSTR.pdf | |
![]() | SMTPA220-TR | SMTPA220-TR ST SMB | SMTPA220-TR.pdf | |
![]() | S-80250AG | S-80250AG SEIKO SMD or Through Hole | S-80250AG.pdf | |
![]() | S1A SMD | S1A SMD ORIGINAL SMD or Through Hole | S1A SMD.pdf | |
![]() | HD100130F | HD100130F HIT CQFP | HD100130F.pdf | |
![]() | IPD068N10N3G | IPD068N10N3G INFINEON TO-252 | IPD068N10N3G.pdf | |
![]() | 128491 | 128491 MSC SMD or Through Hole | 128491.pdf | |
![]() | MAX663CPA/EPA | MAX663CPA/EPA MAXIM DIP-8 | MAX663CPA/EPA.pdf |