창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AFT09S200W02NR3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | AFT09S200W02(G)NR3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF FET | |
제조업체 | Freescale Semiconductor - NXP | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | LDMOS | |
주파수 | 960MHz | |
이득 | 19.2dB | |
전압 - 테스트 | 28V | |
정격 전류 | - | |
잡음 지수 | - | |
전류 - 테스트 | 1.4A | |
전력 - 출력 | 56W | |
전압 - 정격 | 70V | |
패키지/케이스 | OM-780-2 | |
공급 장치 패키지 | OM-780-2 | |
표준 포장 | 250 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | AFT09S200W02NR3 | |
관련 링크 | AFT09S200, AFT09S200W02NR3 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | 416F38422CKR | 38.4MHz ±20ppm 수정 8pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F38422CKR.pdf | |
![]() | ERJ-S03F6812V | RES SMD 68.1K OHM 1% 1/10W 0603 | ERJ-S03F6812V.pdf | |
![]() | IDT70V9389L7PRF | IDT70V9389L7PRF IDT QFP | IDT70V9389L7PRF.pdf | |
![]() | IS62C1024AL0T | IS62C1024AL0T ISSI SOP | IS62C1024AL0T.pdf | |
![]() | CR1/8W390JV | CR1/8W390JV HOKURIKU STOCK | CR1/8W390JV.pdf | |
![]() | 7000-46041-8020900 | 7000-46041-8020900 MURR SMD or Through Hole | 7000-46041-8020900.pdf | |
![]() | 3508A | 3508A BB CAN | 3508A.pdf | |
![]() | NTA0312MC | NTA0312MC C&D SMD or Through Hole | NTA0312MC.pdf | |
![]() | IR16TTS08FP | IR16TTS08FP ir SMD or Through Hole | IR16TTS08FP.pdf | |
![]() | FK0005G770HCD | FK0005G770HCD BB BGA | FK0005G770HCD.pdf | |
![]() | 100SP3T1B4VS2RE | 100SP3T1B4VS2RE E-SWITCH SMD or Through Hole | 100SP3T1B4VS2RE.pdf | |
![]() | TPS61007DGS | TPS61007DGS TI 10-MSOP | TPS61007DGS.pdf |