창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-AFT09MS031NR1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | AFT09MS031(G)NR1 | |
| 제품 교육 모듈 | RF Land Mobile Solutions | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF FET | |
| 제조업체 | Freescale Semiconductor - NXP | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS | |
| 주파수 | 870MHz | |
| 이득 | 17.2dB | |
| 전압 - 테스트 | 13.6V | |
| 정격 전류 | - | |
| 잡음 지수 | - | |
| 전류 - 테스트 | 500mA | |
| 전력 - 출력 | 31W | |
| 전압 - 정격 | 40V | |
| 패키지/케이스 | TO-270AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-270-2 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | AFT09MS031NR1TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | AFT09MS031NR1 | |
| 관련 링크 | AFT09MS, AFT09MS031NR1 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | CDV30EH300JO3 | MICA | CDV30EH300JO3.pdf | |
![]() | ERJ-L08KJ10CV | RES SMD 0.1 OHM 5% 1/3W 1206 | ERJ-L08KJ10CV.pdf | |
![]() | RR0306P-561-D | RES SMD 560 OHM 0.5% 1/20W 0201 | RR0306P-561-D.pdf | |
![]() | RT1206BRE07536KL | RES SMD 536K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RT1206BRE07536KL.pdf | |
![]() | ECTH100505103J3435HST | ECTH100505103J3435HST ORIGINAL SMD or Through Hole | ECTH100505103J3435HST.pdf | |
![]() | 8126 | 8126 SIPEX na | 8126.pdf | |
![]() | BQ24014BRCR | BQ24014BRCR TI SMD or Through Hole | BQ24014BRCR.pdf | |
![]() | 22-04-5053 | 22-04-5053 MOLEX SMD or Through Hole | 22-04-5053.pdf | |
![]() | DM54S283J/883B | DM54S283J/883B NS DIP14 | DM54S283J/883B.pdf | |
![]() | 0805-683J | 0805-683J ORIGINAL SMD or Through Hole | 0805-683J.pdf | |
![]() | ESXE6R3ETD680MDB5D | ESXE6R3ETD680MDB5D Chemi-con NA | ESXE6R3ETD680MDB5D.pdf | |
![]() | B82522V0000C003 | B82522V0000C003 epcos SMD or Through Hole | B82522V0000C003.pdf |