창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AF164-FR-079K31L | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | AF122,4, AF162,4 Series | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 저항기 네트워크, 어레이 | |
제조업체 | Yageo | |
계열 | AF164 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
회로 유형 | 절연 | |
저항(옴) | 9.31k | |
허용 오차 | ±1% | |
저항기 개수 | 4 | |
핀 개수 | 8 | |
소자별 전력 | 62.5mW | |
온도 계수 | ±250ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
응용 제품 | DDRAM, SDRAM | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 1206(3216 미터법), 볼록형, 장측 단자 | |
공급 장치 패키지 | 1206 | |
크기/치수 | 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | |
높이 | 0.028"(0.70mm) | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | AF164-FR-079K31L | |
관련 링크 | AF164-FR-, AF164-FR-079K31L 데이터 시트, Yageo 에이전트 유통 |
RL80E122MDN1KX | 1200µF 2.5V Aluminum - Polymer Capacitors Radial, Can 7 mOhm 2000 Hrs @ 105°C | RL80E122MDN1KX.pdf | ||
30LVSD22QA-R | 2200pF 400VAC 세라믹 커패시터 Y5U(E) 방사형, 디스크 0.331" Dia(8.40mm) | 30LVSD22QA-R.pdf | ||
RC0R5DB560RJET | RES SMD 560 OHM 5% 1/2W J LEAD | RC0R5DB560RJET.pdf | ||
DDR3 | DDR3 HYNIX BGA | DDR3.pdf | ||
0805N5R0C500NT | 0805N5R0C500NT ORIGINAL SMD or Through Hole | 0805N5R0C500NT.pdf | ||
74HC20D/S200,118 | 74HC20D/S200,118 NXP SOT108 | 74HC20D/S200,118.pdf | ||
192050007 | 192050007 MOLEX SMD or Through Hole | 192050007.pdf | ||
QMV1188BS1 | QMV1188BS1 NQRTEL BGA | QMV1188BS1.pdf | ||
MBR140T3 | MBR140T3 ORIGINAL SMD or Through Hole | MBR140T3.pdf | ||
SIM-131 | SIM-131 SAMSUNG DIP | SIM-131.pdf | ||
AD626AN | AD626AN ORIGINAL DIP | AD626AN .pdf | ||
06036G335ZATN | 06036G335ZATN MUR SMD or Through Hole | 06036G335ZATN.pdf |