창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-AF122-FR-0715K8L | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | AF122,4, AF162,4 Series | |
| 종류 | 저항기 | |
| 제품군 | 저항기 네트워크, 어레이 | |
| 제조업체 | Yageo | |
| 계열 | AF122 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 회로 유형 | 절연 | |
| 저항(옴) | 15.8k | |
| 허용 오차 | ±1% | |
| 저항기 개수 | 2 | |
| 핀 개수 | 4 | |
| 소자별 전력 | 62.5mW | |
| 온도 계수 | ±200ppm/°C | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
| 응용 제품 | DDRAM, SDRAM | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 0404(1010 미터법), 볼록형 | |
| 공급 장치 패키지 | * | |
| 크기/치수 | 0.039" L x 0.039" W(1.00mm x 1.00mm) | |
| 높이 | 0.016"(0.40mm) | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | AF122-FR-0715K8L | |
| 관련 링크 | AF122-FR-, AF122-FR-0715K8L 데이터 시트, Yageo 에이전트 유통 | |
![]() | 0322012.H | FUSE CERAMIC 12A 65VAC/VDC 3AB | 0322012.H.pdf | |
![]() | BAS21DW5T1G | DIODE ARRAY GP 250V 200MA SOT353 | BAS21DW5T1G.pdf | |
![]() | RG1005N-6982-D-T10 | RES SMD 69.8KOHM 0.5% 1/16W 0402 | RG1005N-6982-D-T10.pdf | |
![]() | TNPW060327R4BEEN | RES SMD 27.4 OHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPW060327R4BEEN.pdf | |
![]() | PAL16R4DCNL | PAL16R4DCNL AMD PLCC-20 | PAL16R4DCNL.pdf | |
![]() | A16V475 | A16V475 ANX SMD or Through Hole | A16V475.pdf | |
![]() | 1.8YCL | 1.8YCL BIVAR DIP | 1.8YCL.pdf | |
![]() | 0402223ZNT | 0402223ZNT ORIGINAL SMD or Through Hole | 0402223ZNT.pdf | |
![]() | UC1875JQMLV | UC1875JQMLV UNITRODE CDIP | UC1875JQMLV.pdf | |
![]() | FV80503266SL2Z4/1.9V | FV80503266SL2Z4/1.9V INTEL BGA | FV80503266SL2Z4/1.9V.pdf | |
![]() | K9F5608UODIB0 | K9F5608UODIB0 SAMSUNG BGA | K9F5608UODIB0.pdf | |
![]() | PT12116SL | PT12116SL BOURNS SMD or Through Hole | PT12116SL.pdf |