창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AF122-FR-07113RL | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | AF122,4, AF162,4 Series | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 저항기 네트워크, 어레이 | |
제조업체 | Yageo | |
계열 | AF122 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
회로 유형 | 절연 | |
저항(옴) | 113 | |
허용 오차 | ±1% | |
저항기 개수 | 2 | |
핀 개수 | 4 | |
소자별 전력 | 62.5mW | |
온도 계수 | ±200ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
응용 제품 | DDRAM, SDRAM | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 0404(1010 미터법), 볼록형 | |
공급 장치 패키지 | * | |
크기/치수 | 0.039" L x 0.039" W(1.00mm x 1.00mm) | |
높이 | 0.016"(0.40mm) | |
표준 포장 | 10,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | AF122-FR-07113RL | |
관련 링크 | AF122-FR-, AF122-FR-07113RL 데이터 시트, Yageo 에이전트 유통 |
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![]() | MHQ1005P2N2ST | 2.2nH Unshielded Multilayer Inductor 1A 60 mOhm Max 0402 (1006 Metric) | MHQ1005P2N2ST.pdf | |
![]() | Y0793525R000T9L | RES 525 OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y0793525R000T9L.pdf | |
![]() | 502JM | 502JM AT&T DIP | 502JM.pdf | |
![]() | 2318HJ-05 | 2318HJ-05 Neltron SMD or Through Hole | 2318HJ-05.pdf | |
![]() | 6-216393-0 | 6-216393-0 AMP con | 6-216393-0.pdf | |
![]() | 300W15RRJ | 300W15RRJ LR SMD or Through Hole | 300W15RRJ.pdf | |
![]() | K823K10X7RF5H5 | K823K10X7RF5H5 VISHAY DIP | K823K10X7RF5H5.pdf | |
![]() | MX29F200BTC-70/55 | MX29F200BTC-70/55 MEMORY SMD | MX29F200BTC-70/55.pdf | |
![]() | AM422 | AM422 AMG SMD or Through Hole | AM422.pdf |