창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AF122-FR-07105KL | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | AF122,4, AF162,4 Series | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 저항기 네트워크, 어레이 | |
제조업체 | Yageo | |
계열 | AF122 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
회로 유형 | 절연 | |
저항(옴) | 105k | |
허용 오차 | ±1% | |
저항기 개수 | 2 | |
핀 개수 | 4 | |
소자별 전력 | 62.5mW | |
온도 계수 | ±200ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
응용 제품 | DDRAM, SDRAM | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 0404(1010 미터법), 볼록형 | |
공급 장치 패키지 | * | |
크기/치수 | 0.039" L x 0.039" W(1.00mm x 1.00mm) | |
높이 | 0.016"(0.40mm) | |
표준 포장 | 10,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | AF122-FR-07105KL | |
관련 링크 | AF122-FR-, AF122-FR-07105KL 데이터 시트, Yageo 에이전트 유통 |
TS640T23IDT | 64MHz ±20ppm 수정 18pF 80옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | TS640T23IDT.pdf | ||
SRR1205-151KL | 150µH Shielded Wirewound Inductor 800mA 580 mOhm Max Nonstandard | SRR1205-151KL.pdf | ||
LQP03TN16NH02D | 16nH Unshielded Thin Film Inductor 200mA 950 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | LQP03TN16NH02D.pdf | ||
CRCW0603274KFKTA | RES SMD 274K OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW0603274KFKTA.pdf | ||
FQP85NO6 | FQP85NO6 F TO-220 | FQP85NO6.pdf | ||
XJ-9502 | XJ-9502 ORIGINAL SMD or Through Hole | XJ-9502.pdf | ||
6032201501 | 6032201501 varta SMD or Through Hole | 6032201501.pdf | ||
TMS44C251ASD-10 | TMS44C251ASD-10 TI ZIP28 | TMS44C251ASD-10.pdf | ||
P6SMB11CA-E3 | P6SMB11CA-E3 VISHAY DO-214AA | P6SMB11CA-E3.pdf | ||
SS54HC541C | SS54HC541C ORIGINAL DIP | SS54HC541C.pdf | ||
HD64F2663TE25 | HD64F2663TE25 HITACHI QFP | HD64F2663TE25.pdf |