창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ADXRS646TBGZ-EP-RL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 면제 / RoHS 준수 면제 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ADXRS646-EP | |
| 비디오 파일 | MEMS Based Inertial Measurement Units | |
| PCN 설계/사양 | ADXRS646 Die and Datasheet Revision 17/Oct/2013 | |
| PCN 조립/원산지 | MEMS Devices Second Source 22/Aug/2013 | |
| 종류 | 센서, 트랜스듀서 | |
| 제품군 | 동작 센서 - 자이로스코프 | |
| 제조업체 | Analog Devices Inc. | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 유형 | 아날로그 | |
| 축 | Z(요) | |
| 범위 °/s | ±250 | |
| 감도(LSB/(°/s)) | - | |
| 감도(mV/°/s) | 9 | |
| 대역폭 | 1kHz | |
| 출력 유형 | 아날로그 전압 | |
| 전압 - 공급 | 5.75 V ~ 6.25 V | |
| 전류 - 공급 | 4mA | |
| 특징 | 온도 감지기 | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 105°C(TA) | |
| 패키지/케이스 | 32-BFCBGA | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | ADXRS646TBGZ-EP-RL-ND ADXRS646TBGZ-EP-RLTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ADXRS646TBGZ-EP-RL | |
| 관련 링크 | ADXRS646TB, ADXRS646TBGZ-EP-RL 데이터 시트, Analog Devices Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | 0218.630MRET1P | FUSE GLASS 630MA 250VAC 5X20MM | 0218.630MRET1P.pdf | |
![]() | HKQ0603U3N1S-T | 3.1nH Unshielded Multilayer Inductor 450mA 250 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | HKQ0603U3N1S-T.pdf | |
![]() | M30620MAA-828GP | M30620MAA-828GP RENESAS QFP | M30620MAA-828GP.pdf | |
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![]() | EPM6016QC208C | EPM6016QC208C ALTRA SMD or Through Hole | EPM6016QC208C.pdf | |
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![]() | LQS33N100G04M0 | LQS33N100G04M0 MURATA SMD or Through Hole | LQS33N100G04M0.pdf | |
![]() | SI4X35 | SI4X35 VISHAY SMD or Through Hole | SI4X35.pdf | |
![]() | JX2N2606 | JX2N2606 MOT SMD or Through Hole | JX2N2606.pdf | |
![]() | BAS516.115 | BAS516.115 NXP na | BAS516.115.pdf |