창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ADIS16227CMLZ | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ADIS16227 | |
| 비디오 파일 | MEMS Based Inertial Measurement Units | |
| 종류 | 센서, 트랜스듀서 | |
| 제품군 | 동작 센서 - 진동 | |
| 제조업체 | Analog Devices Inc. | |
| 계열 | iMEMS®, iSensor™ | |
| 부품 현황 | * | |
| 센서 유형 | 가속 | |
| 감지 범위 | -70 ~ 70 g | |
| 감도 | 1.192mg/LSB | |
| 출력 유형 | 디지털 | |
| 전력 - 정격 | 3.15 V ~ 3.6 V / 43mA | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 125°C | |
| 특징 | 프로그램가능 | |
| 패키지/케이스 | 14-모듈, 커넥터 포함 | |
| 실장 유형 | 나사 장착 | |
| 종단 | 직사각 커넥터 - 14 위치 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ADIS16227CMLZ | |
| 관련 링크 | ADIS162, ADIS16227CMLZ 데이터 시트, Analog Devices Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0805D510MXAAJ | 51pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D510MXAAJ.pdf | |
![]() | T86D157M6R3EAAS | 150µF Molded Tantalum Capacitors 6.3V 2917 (7343 Metric) 600 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | T86D157M6R3EAAS.pdf | |
![]() | CRCW080551K0FKEAHP | RES SMD 51K OHM 1% 1/2W 0805 | CRCW080551K0FKEAHP.pdf | |
![]() | JV2N3501 | JV2N3501 NES CAN-3 | JV2N3501.pdf | |
![]() | 39VF01670-4C-EI | 39VF01670-4C-EI ORIGINAL DIP | 39VF01670-4C-EI.pdf | |
![]() | HC14PWR | HC14PWR PHI SMD or Through Hole | HC14PWR.pdf | |
![]() | 08052B106K6B | 08052B106K6B PHYCOMP 2400r | 08052B106K6B.pdf | |
![]() | 3F80JBBZZ-QZ8B | 3F80JBBZZ-QZ8B SAMSUNG QFP | 3F80JBBZZ-QZ8B.pdf | |
![]() | CX143A | CX143A SONY SMD or Through Hole | CX143A.pdf | |
![]() | BSM200GA120DNSE3256 | BSM200GA120DNSE3256 ORIGINAL SMD or Through Hole | BSM200GA120DNSE3256.pdf | |
![]() | UPD4564323G5-A10B | UPD4564323G5-A10B NEC TSSOP | UPD4564323G5-A10B.pdf |