창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-AD2S1210WDSTZ | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | AD2S1210WDSTZ | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | LQFP | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | AD2S1210WDSTZ | |
| 관련 링크 | AD2S121, AD2S1210WDSTZ 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | SIT1602ACT7-30S | 3.75MHz ~ 77.76MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 3V 4.5mA Standby | SIT1602ACT7-30S.pdf | |
![]() | MPI2520R0-3R3-R | 3.3µH Shielded Multilayer Inductor 1.6A 228 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | MPI2520R0-3R3-R.pdf | |
![]() | S0402-27NF2B | 27nH Unshielded Wirewound Inductor 400mA 360 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | S0402-27NF2B.pdf | |
![]() | K6T2008U2E-YF10 | K6T2008U2E-YF10 SAMSUNG SMD or Through Hole | K6T2008U2E-YF10.pdf | |
![]() | NAE-WT221M63V10X25 | NAE-WT221M63V10X25 NICCOMPONENTS ORIGINAL | NAE-WT221M63V10X25.pdf | |
![]() | BYG70Y | BYG70Y VISHAY SOD-106 | BYG70Y.pdf | |
![]() | 532Y25DS10M000 | 532Y25DS10M000 CTS SMD or Through Hole | 532Y25DS10M000.pdf | |
![]() | RAM-4+ | RAM-4+ MINI SMD or Through Hole | RAM-4+.pdf | |
![]() | M5M29CB320VP-80 | M5M29CB320VP-80 RENESAS SMD or Through Hole | M5M29CB320VP-80.pdf | |
![]() | 27C25612F1 | 27C25612F1 ORIGINAL SMD or Through Hole | 27C25612F1.pdf | |
![]() | 171-29900-601 | 171-29900-601 AERCELEX SMD or Through Hole | 171-29900-601.pdf | |
![]() | 142302620001H | 142302620001H LEADJUMP SMD or Through Hole | 142302620001H.pdf |