창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ACZRC5365B-G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ACZRC5333B-G thru 5388B-G | |
PCN 포장 | Label D/C Chg24/Mar/2016 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Comchip Technology | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 36V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 11옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 27.4V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-214AB, SMC | |
공급 장치 패키지 | SMC(DO-214AB) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 641-1557-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | ACZRC5365B-G | |
관련 링크 | ACZRC53, ACZRC5365B-G 데이터 시트, Comchip Technology 에이전트 유통 |
![]() | 445W32E25M00000 | 25MHz ±30ppm 수정 20pF 40옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W32E25M00000.pdf | |
![]() | Y162810K0000T16R | RES SMD 10K OHM 0.01% 3/4W 2512 | Y162810K0000T16R.pdf | |
![]() | UN220430 | UN220430 ORIGINAL SOP-28L | UN220430.pdf | |
![]() | PSB45030V1.2 | PSB45030V1.2 SIEMENS DIP | PSB45030V1.2.pdf | |
![]() | PNX8473-1C1A3EZ,55 | PNX8473-1C1A3EZ,55 TRIDENT SMD or Through Hole | PNX8473-1C1A3EZ,55.pdf | |
![]() | QT610406-1121 | QT610406-1121 FOXCONN SMD or Through Hole | QT610406-1121.pdf | |
![]() | RFLV-HJBITR RFLV-HJBITR$1B1M | RFLV-HJBITR RFLV-HJBITR$1B1M QFP- STM | RFLV-HJBITR RFLV-HJBITR$1B1M.pdf | |
![]() | LH543601P-30 | LH543601P-30 ORIGINAL QFP | LH543601P-30.pdf | |
![]() | BTS145-A | BTS145-A ORIGINAL TO-263 | BTS145-A.pdf | |
![]() | CTB12-600B | CTB12-600B CRYDOM TO-220 | CTB12-600B.pdf | |
![]() | R2O-6V222MI5 | R2O-6V222MI5 ELNA DIP | R2O-6V222MI5.pdf | |
![]() | SI8456-FT | SI8456-FT SILICON SSOP24 | SI8456-FT.pdf |