창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ACZRC5358B-G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ACZRC5340B-G thru 5388B-G | |
| PCN 포장 | Label D/C Chg24/Mar/2016 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Comchip Technology | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 22V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 3.5옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 16.7V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-214AB, SMC | |
| 공급 장치 패키지 | DO-214AB,(SMC) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ACZRC5358B-G | |
| 관련 링크 | ACZRC53, ACZRC5358B-G 데이터 시트, Comchip Technology 에이전트 유통 | |
![]() | SIT9003AC-2-28EB | 1MHz ~ 110MHz LVCMOS, LVTTL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.8V 4.1mA Enable/Disable | SIT9003AC-2-28EB.pdf | |
![]() | LGJ12565TS-470M2R4-H | 47µH Shielded Wirewound Inductor 2.8A 57.8 mOhm 2-SMD | LGJ12565TS-470M2R4-H.pdf | |
| AD6679-500EBZ | EVAL BOARD AD6679-500 | AD6679-500EBZ.pdf | ||
![]() | EL-11-22VRVGC/S10/TR8 | EL-11-22VRVGC/S10/TR8 EVERLIGHT SMD or Through Hole | EL-11-22VRVGC/S10/TR8.pdf | |
![]() | SCDA3A0800 | SCDA3A0800 ALPS SMD | SCDA3A0800.pdf | |
![]() | 106255-1 | 106255-1 AMP SMD or Through Hole | 106255-1.pdf | |
![]() | MAX788CCK | MAX788CCK MAXIM TO220-5 | MAX788CCK.pdf | |
![]() | W55F20A | W55F20A WINBOND DIP8 | W55F20A.pdf | |
![]() | MGDBI-35-H-E | MGDBI-35-H-E GAIA SMD or Through Hole | MGDBI-35-H-E.pdf | |
![]() | BU4216G-TR | BU4216G-TR ROHM SOT23-5 | BU4216G-TR.pdf | |
![]() | TC4001BFN(ELF,N,SM | TC4001BFN(ELF,N,SM TOSHIBA SMD or Through Hole | TC4001BFN(ELF,N,SM.pdf | |
![]() | MDF76TW-30S-1H/55 | MDF76TW-30S-1H/55 HIROSE SMD or Through Hole | MDF76TW-30S-1H/55.pdf |