창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ABN4G-B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | ABN4G-B | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | ABN4G-B | |
| 관련 링크 | ABN4, ABN4G-B 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | MKP1839168633R | 680pF Film Capacitor 250V 630V Polypropylene (PP), Metallized Axial 0.217" Dia x 0.433" L (5.50mm x 11.00mm) | MKP1839168633R.pdf | |
![]() | PSMN4R8-100PSEQ | MOSFET N-CH 100V D2PAK | PSMN4R8-100PSEQ.pdf | |
![]() | ASPI-7318-8R2M-T | 8.2µH Shielded Wirewound Inductor 4A 68 mOhm Max Nonstandard | ASPI-7318-8R2M-T.pdf | |
![]() | PA0390.222NLT | 2.6µH Unshielded Wirewound Inductor 3.1A 36.3 mOhm Max Nonstandard | PA0390.222NLT.pdf | |
![]() | RG1608P-822-W-T1 | RES SMD 8.2KOHM 0.05% 1/10W 0603 | RG1608P-822-W-T1.pdf | |
![]() | E1I6B | E1I6B NO SMD or Through Hole | E1I6B.pdf | |
![]() | EVQ-QXS02W | EVQ-QXS02W Panasonic SMD or Through Hole | EVQ-QXS02W.pdf | |
![]() | IN3289A | IN3289A POWEREX DO-8 | IN3289A.pdf | |
![]() | SGA5263 | SGA5263 SIRENZA SOT363 | SGA5263.pdf | |
![]() | 838BN-1275=P3(VTPW0007) | 838BN-1275=P3(VTPW0007) ORIGINAL SMD or Through Hole | 838BN-1275=P3(VTPW0007).pdf | |
![]() | TMD1414-1G | TMD1414-1G TOSHIBA SMD or Through Hole | TMD1414-1G.pdf | |
![]() | GRM426X7R104K50 | GRM426X7R104K50 MURATA SMD or Through Hole | GRM426X7R104K50.pdf |