창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ABM11-28.63636MHZ-B7G-T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ABM11 Series Datasheet ABM11 Drawing | |
| 주요제품 | ABM7 and ABM11 Crystals | |
| 3D 모델 | ABM11.pdf ABM11.stp | |
| 카탈로그 페이지 | 1680 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 수정 | |
| 제조업체 | Abracon LLC | |
| 계열 | ABM11 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 유형 | MHz 수정 | |
| 주파수 | 28.63636MHz | |
| 주파수 안정도 | ±15ppm | |
| 주파수 허용 오차 | ±15ppm | |
| 부하 정전 용량 | 10pF | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | 100옴 | |
| 작동 모드 | 기본 | |
| 작동 온도 | -20°C ~ 70°C | |
| 등급 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
| 크기/치수 | 0.079" L x 0.063" W(2.00mm x 1.60mm) | |
| 높이 | 0.023"(0.59mm) | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 535-9817-2 ABM112863636MHZB7GT | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ABM11-28.63636MHZ-B7G-T | |
| 관련 링크 | ABM11-28.6363, ABM11-28.63636MHZ-B7G-T 데이터 시트, Abracon LLC 에이전트 유통 | |
![]() | B43501A9687M60 | 680µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 100 mOhm @ 100Hz 10000 Hrs @ 85°C | B43501A9687M60.pdf | |
![]() | TN0606N3-G | MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3 | TN0606N3-G.pdf | |
![]() | RCWE1206R165FKEA | RES SMD 0.165 OHM 1% 1/2W 1206 | RCWE1206R165FKEA.pdf | |
![]() | SFR16S0003000JR500 | RES 300 OHM 1/2W 5% AXIAL | SFR16S0003000JR500.pdf | |
![]() | M66506FP | M66506FP RENESAS SSOP-32 | M66506FP.pdf | |
![]() | CL10B181KBNC(50V) | CL10B181KBNC(50V) SAMSUNG SMD or Through Hole | CL10B181KBNC(50V).pdf | |
![]() | ATF-33143-TR1G(Avago) | ATF-33143-TR1G(Avago) AVAGO SMD or Through Hole | ATF-33143-TR1G(Avago).pdf | |
![]() | 8J30215ABG1 | 8J30215ABG1 RENESAS/CASIO BGA | 8J30215ABG1.pdf | |
![]() | M59BW10225N1 | M59BW10225N1 ST TSSOP | M59BW10225N1.pdf | |
![]() | NF-MCP-D-C2 | NF-MCP-D-C2 NVIDIA BGA | NF-MCP-D-C2.pdf | |
![]() | SD2W226M12025CB180 | SD2W226M12025CB180 SAMWHA SMD or Through Hole | SD2W226M12025CB180.pdf |