창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-A50MH3100266-J | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | A50MH3100266-J | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | A50MH3100266-J | |
| 관련 링크 | A50MH310, A50MH3100266-J 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | 517D475M250CC6AE3 | 4.7µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | 517D475M250CC6AE3.pdf | |
![]() | 1206ZD475KAT2A | 4.7µF 10V 세라믹 커패시터 X5R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 1206ZD475KAT2A.pdf | |
![]() | RDER72H103K2K1C11B | 10000pF 500V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.197" L x 0.138" W(5.00mm x 3.50mm) | RDER72H103K2K1C11B.pdf | |
![]() | IPB65R280C6ATMA1 | MOSFET N-CH 650V 13.8A TO263 | IPB65R280C6ATMA1.pdf | |
![]() | MOS1L 100J | MOS1L 100J AUK NA | MOS1L 100J.pdf | |
![]() | IP3P125D | IP3P125D HT SMD or Through Hole | IP3P125D.pdf | |
![]() | TO220 | TO220 ORIGINAL SMD or Through Hole | TO220.pdf | |
![]() | SC305B | SC305B SUPERCHIP DIP/SOP | SC305B.pdf | |
![]() | LC3517AML-15=6116 | LC3517AML-15=6116 SANYO/SOP SMD or Through Hole | LC3517AML-15=6116.pdf | |
![]() | AD8555ACP-R2 | AD8555ACP-R2 ADI SMD or Through Hole | AD8555ACP-R2.pdf | |
![]() | 512\\160-10HC-12HI | 512\\160-10HC-12HI AMD SMD or Through Hole | 512\\160-10HC-12HI.pdf |