창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-A2T26H160-24SR3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | A2T26H160-24SR3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF FET | |
제조업체 | Freescale Semiconductor - NXP | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | LDMOS(이중) | |
주파수 | 2.58GHz | |
이득 | 15.5dB | |
전압 - 테스트 | 28V | |
정격 전류 | - | |
잡음 지수 | - | |
전류 - 테스트 | 350mA | |
전력 - 출력 | 28W | |
전압 - 정격 | 65V | |
패키지/케이스 | NI-780S-4L2L | |
공급 장치 패키지 | NI-780S-4L2L | |
표준 포장 | 250 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | A2T26H160-24SR3 | |
관련 링크 | A2T26H160, A2T26H160-24SR3 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
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C1210C102F1GACTU | 1000pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | C1210C102F1GACTU.pdf | ||
PA2512FKF7T0R003E | RES SMD 0.003 OHM 1% 3W 2512 | PA2512FKF7T0R003E.pdf | ||
DSX630G(14.7456MHZ) | DSX630G(14.7456MHZ) KDS SMD or Through Hole | DSX630G(14.7456MHZ).pdf | ||
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KBC23S1H43R | KBC23S1H43R LCN SMD or Through Hole | KBC23S1H43R.pdf | ||
MSP3460G-QA-B8-V3-TB | MSP3460G-QA-B8-V3-TB MICRONAS QFP | MSP3460G-QA-B8-V3-TB.pdf | ||
RF402489F | RF402489F APH SMD or Through Hole | RF402489F.pdf |