창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-A2T18S162W31GSR3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RF Products Selector Guide A2T18S162W31(G)SR3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF FET | |
제조업체 | Freescale Semiconductor - NXP | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | LDMOS | |
주파수 | 1.84GHz | |
이득 | 20.1dB | |
전압 - 테스트 | 28V | |
정격 전류 | - | |
잡음 지수 | - | |
전류 - 테스트 | 1A | |
전력 - 출력 | 32W | |
전압 - 정격 | 65V | |
패키지/케이스 | NI-780GS-2L2LA | |
공급 장치 패키지 | NI-780GS-2L2LA | |
표준 포장 | 250 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | A2T18S162W31GSR3 | |
관련 링크 | A2T18S162, A2T18S162W31GSR3 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | DFLZ12-TP | DIODE ZENER 12V 1W SOD123FL | DFLZ12-TP.pdf | |
![]() | 1175ANC30 | 1175ANC30 RAYTHEON DIP24 | 1175ANC30.pdf | |
![]() | 3CG180H | 3CG180H ORIGINAL B-4 | 3CG180H.pdf | |
![]() | ENG-7780 | ENG-7780 QUALLOMM QFN | ENG-7780.pdf | |
![]() | LTC1961B | LTC1961B LT SOP8 | LTC1961B.pdf | |
![]() | 836MHZ/SRF836NJC31-TB12R/6PAD | 836MHZ/SRF836NJC31-TB12R/6PAD TOSHIBA SMD or Through Hole | 836MHZ/SRF836NJC31-TB12R/6PAD.pdf | |
![]() | TYWI1608UC12NJGT-PF | TYWI1608UC12NJGT-PF ORIGINAL SMD or Through Hole | TYWI1608UC12NJGT-PF.pdf | |
![]() | HC9P5509B-5N | HC9P5509B-5N HITACHI SMD | HC9P5509B-5N.pdf | |
![]() | S-80842ANNP-ED6 TEL:82766440 | S-80842ANNP-ED6 TEL:82766440 SII SOT343 | S-80842ANNP-ED6 TEL:82766440.pdf | |
![]() | IRF7484 | IRF7484 ORIGINAL SOP-8 | IRF7484 .pdf | |
![]() | AM9516PC4 | AM9516PC4 AMD DIP40 | AM9516PC4.pdf | |
![]() | mcp73844-820i-m | mcp73844-820i-m microchip SMD or Through Hole | mcp73844-820i-m.pdf |