창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-A2T18S160W31SR3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RF Products Selector Guide A2T18S160W31(G)SR3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF FET | |
제조업체 | Freescale Semiconductor - NXP | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | LDMOS | |
주파수 | 1.88GHz | |
이득 | 19.9dB | |
전압 - 테스트 | 28V | |
정격 전류 | - | |
잡음 지수 | - | |
전류 - 테스트 | 1A | |
전력 - 출력 | 32W | |
전압 - 정격 | 65V | |
패키지/케이스 | NI-780S-2L2LA | |
공급 장치 패키지 | NI-780S-2L2LA | |
표준 포장 | 250 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | A2T18S160W31SR3 | |
관련 링크 | A2T18S160, A2T18S160W31SR3 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | 207829-3 | 207829-3 AMP ORIGINAL | 207829-3.pdf | |
![]() | 0402 103K 50V | 0402 103K 50V ORIGINAL SMD or Through Hole | 0402 103K 50V.pdf | |
![]() | IP3P125D-16 | IP3P125D-16 SemeLAB SOP-16 | IP3P125D-16.pdf | |
![]() | EPM7512AEF256-10 | EPM7512AEF256-10 ALTERA BGA | EPM7512AEF256-10.pdf | |
![]() | K4T56044QF-ZCE6 | K4T56044QF-ZCE6 SAMSUNG BGA | K4T56044QF-ZCE6.pdf | |
![]() | LP3470IM5-4.63 TEL:82766440 | LP3470IM5-4.63 TEL:82766440 National SMD or Through Hole | LP3470IM5-4.63 TEL:82766440.pdf | |
![]() | 50ME2R2HTK | 50ME2R2HTK SANYO DIP | 50ME2R2HTK.pdf | |
![]() | PC74HCT32DR | PC74HCT32DR PHI SOP3.9 | PC74HCT32DR.pdf | |
![]() | KM44V1000BLTR-7 | KM44V1000BLTR-7 SAM SOP | KM44V1000BLTR-7.pdf | |
![]() | BN600NW | BN600NW IDEC SMD or Through Hole | BN600NW.pdf |