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NXP Semiconductors A2T09VD250NR1

A2T09VD250NR1
제조업체 부품 번호
A2T09VD250NR1
제조업 자
제품 카테고리
RF FET
간단한 설명
IC TRANS RF LDMOS
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A2T09VD250NR1 매개 변수
내부 부품 번호EIS-A2T09VD250NR1
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서A2T09VD250NR1
종류이산 소자 반도체 제품
제품군RF FET
제조업체Freescale Semiconductor - NXP
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형LDMOS(이중)
주파수920MHz
이득22.5dB
전압 - 테스트48V
정격 전류-
잡음 지수-
전류 - 테스트1A
전력 - 출력65W
전압 - 정격105V
패키지/케이스TO-270-6 변형, 플랫 리드(Lead)
공급 장치 패키지TO-270WB-6A
표준 포장 500
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)A2T09VD250NR1
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