창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-A2T07D160W04SR3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | A2T07D160W04SR3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF FET | |
| 제조업체 | Freescale Semiconductor - NXP | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS(이중) | |
| 주파수 | 803MHz | |
| 이득 | 21.5dB | |
| 전압 - 테스트 | 28V | |
| 정격 전류 | - | |
| 잡음 지수 | - | |
| 전류 - 테스트 | 450mA | |
| 전력 - 출력 | 30W | |
| 전압 - 정격 | 70V | |
| 패키지/케이스 | NI-780S-4 | |
| 공급 장치 패키지 | NI-780S-4 | |
| 표준 포장 | 250 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | A2T07D160W04SR3 | |
| 관련 링크 | A2T07D160, A2T07D160W04SR3 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
| SIHG21N65EF-GE3 | MOSFET N-CH 650V 21A TO-247AC | SIHG21N65EF-GE3.pdf | ||
![]() | RG2012V-6651-B-T5 | RES SMD 6.65K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RG2012V-6651-B-T5.pdf | |
![]() | CM201212-R56KL | CM201212-R56KL BOURNS SMD or Through Hole | CM201212-R56KL.pdf | |
![]() | C10812_CUTE-4-MX6-M | C10812_CUTE-4-MX6-M LEDILOY SMD or Through Hole | C10812_CUTE-4-MX6-M.pdf | |
![]() | 25CE22AX | 25CE22AX SANYO SMD | 25CE22AX.pdf | |
![]() | 1-338095-8 | 1-338095-8 TE/AMP/TYCO Connector | 1-338095-8.pdf | |
![]() | VM242AB | VM242AB NS QFP | VM242AB.pdf | |
![]() | SNFC0310P-3R3F | SNFC0310P-3R3F ORIGINAL SMD or Through Hole | SNFC0310P-3R3F.pdf | |
![]() | AS7C513B-10JI | AS7C513B-10JI ALLIANCE SOJ44 | AS7C513B-10JI.pdf | |
![]() | TFE2S433A | TFE2S433A OTHER SMD or Through Hole | TFE2S433A.pdf | |
![]() | FP01803 | FP01803 ORIGINAL QFP | FP01803.pdf |