NXP Semiconductors A2I25H060NR1
- 제조업체 부품 번호
- A2I25H060NR1
- 제조업 자
- NXP Semiconductors
- 제품 카테고리
- RF FET
- 간단한 설명
- IC RF LDMOS AMP
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A2I25H060NR1 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
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창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 40,208.68800
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EIS에는 A2I25H060NR1 재고가 있습니다. 우리는 NXP Semiconductors 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 NXP Semiconductors 전자 부품 전문. A2I25H060NR1 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. A2I25H060NR1가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
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A2I25H060NR1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-A2I25H060NR1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | A2I25H060(G)NR1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF FET | |
| 제조업체 | Freescale Semiconductor - NXP | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS(이중) | |
| 주파수 | 2.59GHz | |
| 이득 | 26.1dB | |
| 전압 - 테스트 | 28V | |
| 정격 전류 | - | |
| 잡음 지수 | - | |
| 전류 - 테스트 | 26mA | |
| 전력 - 출력 | 10.5W | |
| 전압 - 정격 | 65V | |
| 패키지/케이스 | TO-270-17 변형, 플랫 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-270WB-17 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | A2I25H060NR1 | |
| 관련 링크 | A2I25H0, A2I25H060NR1 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
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