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NXP Semiconductors A2I20H060NR1

A2I20H060NR1
제조업체 부품 번호
A2I20H060NR1
제조업 자
제품 카테고리
RF FET
간단한 설명
IC TRANS RF LDMOS
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내부 부품 번호EIS-A2I20H060NR1
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서A2I20H060(G)NR1
종류이산 소자 반도체 제품
제품군RF FET
제조업체Freescale Semiconductor - NXP
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형LDMOS(이중)
주파수1.84GHz
이득28.9dB
전압 - 테스트28V
정격 전류-
잡음 지수-
전류 - 테스트24mA
전력 - 출력12W
전압 - 정격65V
패키지/케이스TO-270-15 변형, 플랫 리드(Lead)
공급 장치 패키지TO-270WB-15
표준 포장 500
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)A2I20H060NR1
관련 링크A2I20H0, A2I20H060NR1 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
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