창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-A2C00033519 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | A2C00033519 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | PLCC52 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | A2C00033519 | |
| 관련 링크 | A2C000, A2C00033519 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | ECA-1JM220B | 22µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | ECA-1JM220B.pdf | |
![]() | VJ0402D330MLAAP | 33pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D330MLAAP.pdf | |
![]() | GL042F33IET | 4.096MHz ±30ppm 수정 20pF 120옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GL042F33IET.pdf | |
![]() | 445C3XF20M00000 | 20MHz ±30ppm 수정 24pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C3XF20M00000.pdf | |
![]() | PXFC192207FHV3R250XTMA1 | IC AMP RF LDMOS | PXFC192207FHV3R250XTMA1.pdf | |
![]() | 10114F | 10114F MOT DIP16 | 10114F.pdf | |
![]() | C69518Y=SIM-131 | C69518Y=SIM-131 NEC DIP42 | C69518Y=SIM-131.pdf | |
![]() | THC632LVDM83C | THC632LVDM83C ORIGINAL TSSOP | THC632LVDM83C.pdf | |
![]() | M232RD | M232RD CSC SMD or Through Hole | M232RD.pdf | |
![]() | MSM7563GSK | MSM7563GSK oki SMD or Through Hole | MSM7563GSK.pdf | |
![]() | PL-2303HXLF | PL-2303HXLF PROLIFIC QFN | PL-2303HXLF.pdf | |
![]() | MPY4364K | MPY4364K STANLEY SMD | MPY4364K.pdf |