창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-865080262015 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 865080262015 Drawing | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | Wurth Electronics Inc | |
계열 | WCAP-ASLI | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 2200µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 10V | |
등가 직렬 저항(ESR) | - | |
수명 @ 온도 | 2000시간(105°C) | |
작동 온도 | -55°C ~ 105°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 1.1A @ 100kHz | |
임피던스 | 80m옴 | |
리드 간격 | - | |
크기/치수 | 0.492" Dia(12.50mm) | |
높이 - 장착(최대) | 0.551"(14.00mm) | |
표면 실장 면적 크기 | 0.531" L x 0.531" W(13.50mm x 13.50mm) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can - SMD | |
표준 포장 | 200 | |
다른 이름 | 732-8498-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 865080262015 | |
관련 링크 | 8650802, 865080262015 데이터 시트, Wurth Electronics Inc 에이전트 유통 |
![]() | 416F480X3IDT | 48MHz ±15ppm 수정 18pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F480X3IDT.pdf | |
![]() | BZV85-C3V6,133 | DIODE ZENER 3.6V 1.3W DO41 | BZV85-C3V6,133.pdf | |
![]() | 121242-HMC719LP4E | 121242-HMC719LP4E HITTITE SMD or Through Hole | 121242-HMC719LP4E.pdf | |
![]() | 2EOY | 2EOY NO SMD or Through Hole | 2EOY.pdf | |
![]() | 401403L000-21 | 401403L000-21 Tyco con | 401403L000-21.pdf | |
![]() | 3882C | 3882C F SOP8 | 3882C.pdf | |
![]() | R3111N221C-TR-F | R3111N221C-TR-F RICOH SOT23-5 | R3111N221C-TR-F.pdf | |
![]() | TSSOP20INL | TSSOP20INL CHIPPAC TSSOP20 | TSSOP20INL.pdf | |
![]() | PV32T105A01B00 | PV32T105A01B00 MURATA DIP | PV32T105A01B00.pdf | |
![]() | 605102A | 605102A ORIGINAL SMD or Through Hole | 605102A.pdf | |
![]() | 1N4167 | 1N4167 N DIP | 1N4167.pdf | |
![]() | MSP410AP | MSP410AP TI SMD or Through Hole | MSP410AP.pdf |