창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-865060542002 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 865060542002 Drawing | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | Wurth Electronics Inc | |
계열 | WCAP-ASLL | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 10µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 35V | |
등가 직렬 저항(ESR) | - | |
수명 @ 온도 | 2000시간(105°C) | |
작동 온도 | -55°C ~ 105°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 150mA @ 100kHz | |
임피던스 | 800m옴 | |
리드 간격 | - | |
크기/치수 | 0.197" Dia(5.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 0.217"(5.50mm) | |
표면 실장 면적 크기 | 0.209" L x 0.209" W(5.30mm x 5.30mm) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can - SMD | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | 732-8582-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 865060542002 | |
관련 링크 | 8650605, 865060542002 데이터 시트, Wurth Electronics Inc 에이전트 유통 |
![]() | 416F44025IST | 44MHz ±20ppm 수정 시리즈 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F44025IST.pdf | |
![]() | SIT8008AI-23-18E-5.350000D | OSC XO 1.8V 5.35MHZ OE | SIT8008AI-23-18E-5.350000D.pdf | |
![]() | IRF624L | MOSFET N-CH 250V 4.4A TO-262 | IRF624L.pdf | |
![]() | MIC5200-4.8BTR | MIC5200-4.8BTR MICREL SOT223-3P | MIC5200-4.8BTR.pdf | |
![]() | GMR30H150CTP3 | GMR30H150CTP3 GAMMA TO3P | GMR30H150CTP3.pdf | |
![]() | ERJ3EKF1822V | ERJ3EKF1822V PANASONIC SMD or Through Hole | ERJ3EKF1822V.pdf | |
![]() | RG82861PL QC72ES | RG82861PL QC72ES INTEL BGA | RG82861PL QC72ES.pdf | |
![]() | N7533N | N7533N MIC SOP | N7533N.pdf | |
![]() | FSEZ1016ANY | FSEZ1016ANY FairchildSemicond SMD or Through Hole | FSEZ1016ANY.pdf | |
![]() | HS204E | HS204E HUAWEI BGA | HS204E.pdf | |
![]() | 2*9 | 2*9 ORIGINAL SMD or Through Hole | 2*9.pdf |