창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-860160480034 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 860160480034 Drawing | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | Wurth Electronics Inc | |
계열 | WCAP-ATLL | |
포장 | 테이프 및 박스(TB) | |
정전 용량 | 2200µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 25V | |
등가 직렬 저항(ESR) | - | |
수명 @ 온도 | 10000시간(105°C) | |
작동 온도 | -55°C ~ 105°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 2.712A @ 100kHz | |
임피던스 | 50m옴 | |
리드 간격 | 0.295"(7.50mm) | |
크기/치수 | 0.630" Dia(16.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 1.043"(26.50mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can | |
표준 포장 | 200 | |
다른 이름 | 732-9534-3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 860160480034 | |
관련 링크 | 8601604, 860160480034 데이터 시트, Wurth Electronics Inc 에이전트 유통 |
STB6N65M2 | MOSFET N-CH 650V 4A D2PAK | STB6N65M2.pdf | ||
PLTT0805Z4220QGT5 | RES SMD 422 OHM 0.02% 1/4W 0805 | PLTT0805Z4220QGT5.pdf | ||
MBB02070C3011FRP00 | RES 3.01K OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070C3011FRP00.pdf | ||
CMF555M1100FHEB | RES 5.11M OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF555M1100FHEB.pdf | ||
40JR30E | RES 0.3 OHM 10W 5% AXIAL | 40JR30E.pdf | ||
AMS1083CT-1.5 | AMS1083CT-1.5 AMS 1TO-220 | AMS1083CT-1.5.pdf | ||
KSM-953TH2-2 | KSM-953TH2-2 KODENSHI/AUK DIP | KSM-953TH2-2.pdf | ||
TPS76950 | TPS76950 TI SOT-23 | TPS76950.pdf | ||
D24NR800C | D24NR800C EUPEC/AEG SMD or Through Hole | D24NR800C.pdf | ||
PDTA123JU/DG,115 | PDTA123JU/DG,115 NXP SOT323 | PDTA123JU/DG,115.pdf | ||
GRM42-6X5R225K10 | GRM42-6X5R225K10 muRata MLCC | GRM42-6X5R225K10.pdf |