창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-860160272005 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 860160272005 Drawing | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
| 제조업체 | Wurth Electronics Inc | |
| 계열 | WCAP-ATLL | |
| 포장 | 테이프 및 박스(TB) | |
| 정전 용량 | 47µF | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 정격 전압 | 10V | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | - | |
| 수명 @ 온도 | 4000시간(105°C) | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 105°C | |
| 분극 | 극성 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 리플 전류 | 132mA @ 100kHz | |
| 임피던스 | 1.71옴 | |
| 리드 간격 | 0.079"(2.00mm) | |
| 크기/치수 | 0.197" Dia(5.00mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 0.492"(12.50mm) | |
| 표면 실장 면적 크기 | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 레이디얼, Can | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | 732-9410-3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 860160272005 | |
| 관련 링크 | 8601602, 860160272005 데이터 시트, Wurth Electronics Inc 에이전트 유통 | |
![]() | PWS6600S-S,PWS5610T-S,PWS6600S-P,PWS6A00T-P,PWS662 | PWS6600S-S,PWS5610T-S,PWS6600S-P,PWS6A00T-P,PWS662 ORIGINAL SMD or Through Hole | PWS6600S-S,PWS5610T-S,PWS6600S-P,PWS6A00T-P,PWS662.pdf | |
![]() | ST5092TQ/TQS | ST5092TQ/TQS ST QFP-44 | ST5092TQ/TQS.pdf | |
![]() | CI8-151K | CI8-151K KOR SMD | CI8-151K.pdf | |
![]() | 50PGV3. | 50PGV3. INFINEON SMD or Through Hole | 50PGV3..pdf | |
![]() | K4B1G084G-BCH90DT | K4B1G084G-BCH90DT Samsung SMD or Through Hole | K4B1G084G-BCH90DT.pdf | |
![]() | OPA547FKTWTG3 | OPA547FKTWTG3 TI TO-263 | OPA547FKTWTG3.pdf | |
![]() | TX-12V200W | TX-12V200W ORIGINAL SMD or Through Hole | TX-12V200W.pdf | |
![]() | BU8254GUW-E2 | BU8254GUW-E2 ROHM QFN | BU8254GUW-E2.pdf | |
![]() | K9F1G08U0BGFTP | K9F1G08U0BGFTP SAMSUNG TSOP48 | K9F1G08U0BGFTP.pdf | |
![]() | TM049 | TM049 MIT SIP8 | TM049.pdf |