창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-860020373008 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 860020373008 Drawing | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
| 제조업체 | Wurth Electronics Inc | |
| 계열 | WCAP-ATG5 | |
| 포장 | 테이프 및 박스(TB) | |
| 정전 용량 | 150µF | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 정격 전압 | 16V | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | - | |
| 수명 @ 온도 | 2000시간(105°C) | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 105°C | |
| 분극 | 극성 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 리플 전류 | 170mA @ 120Hz | |
| 임피던스 | - | |
| 리드 간격 | 0.098"(2.50mm) | |
| 크기/치수 | 0.248" Dia(6.30mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 0.492"(12.50mm) | |
| 표면 실장 면적 크기 | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 레이디얼, Can | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 다른 이름 | 732-8795-3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 860020373008 | |
| 관련 링크 | 8600203, 860020373008 데이터 시트, Wurth Electronics Inc 에이전트 유통 | |
![]() | 402F30011CKT | 30MHz ±10ppm 수정 8pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F30011CKT.pdf | |
![]() | IRF60DM206 | MOSFET N-CH 60V 130A | IRF60DM206.pdf | |
![]() | 105-332HS | 3.3µH Unshielded Inductor 210mA 2.2 Ohm Max 2-SMD | 105-332HS.pdf | |
![]() | H4P332KDCA | RES 332K OHM 1W 0.5% AXIAL | H4P332KDCA.pdf | |
![]() | CMF60215R00FKBF | RES 215 OHM 1W 1% AXIAL | CMF60215R00FKBF.pdf | |
![]() | DSS310-55D223S50 | DSS310-55D223S50 ORIGINAL SMD or Through Hole | DSS310-55D223S50.pdf | |
![]() | 7021LYF-821K | 7021LYF-821K TOKO SMD or Through Hole | 7021LYF-821K.pdf | |
![]() | UMX11 N TR | UMX11 N TR ROHM SOT363 | UMX11 N TR.pdf | |
![]() | SCJR | SCJR ORIGINAL SOT23-3 | SCJR.pdf | |
![]() | BGM681L11 | BGM681L11 Infineon DFN | BGM681L11.pdf | |
![]() | NJU7772F18-TE1 | NJU7772F18-TE1 JRC SOT23-5 | NJU7772F18-TE1.pdf | |
![]() | RSD-3.30505 | RSD-3.30505 RECOM SMD or Through Hole | RSD-3.30505.pdf |