창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-860010380027 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 860010380027 Drawing | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | Wurth Electronics Inc | |
계열 | WCAP-ATG8 | |
포장 | 테이프 및 박스(TB) | |
정전 용량 | 6800µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 16V | |
등가 직렬 저항(ESR) | - | |
수명 @ 온도 | 2000시간(85°C) | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 2.805A @ 120Hz | |
임피던스 | - | |
리드 간격 | 0.295"(7.50mm) | |
크기/치수 | 0.630" Dia(16.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 1.299"(33.00mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can | |
표준 포장 | 250 | |
다른 이름 | 732-8619-3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 860010380027 | |
관련 링크 | 8600103, 860010380027 데이터 시트, Wurth Electronics Inc 에이전트 유통 |
![]() | SDB105-TP | DIODE BRIDGE 1A 600V SDB-1 | SDB105-TP.pdf | |
![]() | MLF2012A1R8MTD25 | 1.8µH Shielded Multilayer Inductor 80mA 450 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | MLF2012A1R8MTD25.pdf | |
![]() | CW010R4700JS73 | RES 0.47 OHM 13W 5% AXIAL | CW010R4700JS73.pdf | |
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![]() | 1N5236(MTZJT-777.5C) | 1N5236(MTZJT-777.5C) ROHM DIODE | 1N5236(MTZJT-777.5C).pdf | |
![]() | A1015-GR/Y | A1015-GR/Y TOSHIBA TO-92 | A1015-GR/Y.pdf | |
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![]() | LP3985IM5-3.3. | LP3985IM5-3.3. NS SOT23-5 | LP3985IM5-3.3..pdf | |
![]() | S29GL064M90TA1R4 | S29GL064M90TA1R4 SPANSION TSSOP | S29GL064M90TA1R4.pdf | |
![]() | T63749.10ES | T63749.10ES AAT DIP 8 | T63749.10ES.pdf | |
![]() | M5M51008CFP-70H A00A | M5M51008CFP-70H A00A MITSUBISHI SOP | M5M51008CFP-70H A00A.pdf | |
![]() | MT28F320J3FS-11 G | MT28F320J3FS-11 G BGA MicronTech | MT28F320J3FS-11 G.pdf |