창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-8532R-07J | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 8532(R) Series | |
| 종류 | 인덕터, 코일, 초크 | |
| 제품군 | 고정 인덕터 | |
| 제조업체 | API Delevan Inc. | |
| 계열 | 8532R | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 유형 | - | |
| 소재 - 코어 | 페라이트 | |
| 유도 용량 | 3.3µH | |
| 허용 오차 | ±15% | |
| 정격 전류 | 4.7A | |
| 전류 - 포화 | 3.5A | |
| 차폐 | 비차폐 | |
| DC 저항(DCR) | 16m옴최대 | |
| Q @ 주파수 | - | |
| 주파수 - 자기 공진 | - | |
| 등급 | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 주파수 - 테스트 | 1kHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 2-SMD | |
| 크기/치수 | 0.880" L x 0.330" W(22.35mm x 8.38mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 0.286"(7.26mm) | |
| 표준 포장 | 480 | |
| 다른 이름 | 8532R-07J 480 TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 8532R-07J | |
| 관련 링크 | 8532R, 8532R-07J 데이터 시트, API Delevan Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | LD055A100KAB2A | 10pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | LD055A100KAB2A.pdf | |
![]() | VJ1808A122JBEAT4X | 1200pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.186" L x 0.080" W(4.72mm x 2.03mm) | VJ1808A122JBEAT4X.pdf | |
| BZT55B51-GS18 | DIODE ZENER 51V 500MW SOD80 | BZT55B51-GS18.pdf | ||
![]() | PTN1206E57R6BST1 | RES SMD 57.6 OHM 0.1% 0.4W 1206 | PTN1206E57R6BST1.pdf | |
![]() | E0509M-1W | E0509M-1W MORNSUN SIP | E0509M-1W.pdf | |
![]() | VJ0805Y823JXBAT | VJ0805Y823JXBAT VISHAY SMD | VJ0805Y823JXBAT.pdf | |
![]() | EB2-9NU | EB2-9NU NEC SMD or Through Hole | EB2-9NU.pdf | |
![]() | BT134W-600D.115 | BT134W-600D.115 NXP/PH SMD or Through Hole | BT134W-600D.115.pdf | |
![]() | AD7776JR | AD7776JR AD SMD24 | AD7776JR.pdf | |
![]() | ADP3808AJCPZS3 | ADP3808AJCPZS3 ADI SMD or Through Hole | ADP3808AJCPZS3.pdf | |
![]() | CXK1009 | CXK1009 SONY DIP | CXK1009.pdf | |
![]() | JBTC94B12-AS(EB) | JBTC94B12-AS(EB) Toshiba SMD or Through Hole | JBTC94B12-AS(EB).pdf |