창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-82537070 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 82537070 | |
설계 리소스 | Spice Model Library | |
주요제품 | SMD Varistrs WE-VS | |
3D 모델 | 82537xx0.igs 82537xx0.stp | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 배리스터, MOV | |
제조업체 | Wurth Electronics Inc | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
배리스터 전압 | 10V | |
배리스터 전압(통상) | 12.5V | |
배리스터 전압(최대) | 15V | |
전류 - 서지 | 20A | |
회로 개수 | 1 | |
최대 AC 전압 | 7VAC | |
최대 DC 전압 | 9VDC | |
에너지 | 0.05J | |
패키지/케이스 | 0402(1005 미터법) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT), MLCV | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | 732-2534-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 82537070 | |
관련 링크 | 8253, 82537070 데이터 시트, Wurth Electronics Inc 에이전트 유통 |
![]() | VJ1210A750JBGAT4X | 75pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.132" L x 0.098" W(3.35mm x 2.50mm) | VJ1210A750JBGAT4X.pdf | |
![]() | 403C35D30M00000 | 30MHz ±30ppm 수정 18pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 403C35D30M00000.pdf | |
![]() | LQP02HQ11NJ02E | 11nH Unshielded Thin Film Inductor 250mA 800 mOhm Max 01005 (0402 Metric) | LQP02HQ11NJ02E.pdf | |
![]() | CMF603K3200FER6 | RES 3.32K OHM 1W 1% AXIAL | CMF603K3200FER6.pdf | |
![]() | M35060-001SP | M35060-001SP MITSUBISH DIP32 | M35060-001SP.pdf | |
![]() | ISL6251IRZ | ISL6251IRZ INTERSIL QFN | ISL6251IRZ.pdf | |
![]() | B73181AAA | B73181AAA MOSYS SMD | B73181AAA.pdf | |
![]() | 16UF | 16UF ORIGINAL SMD or Through Hole | 16UF.pdf | |
![]() | RM250-200 | RM250-200 ORIGINAL SMD or Through Hole | RM250-200.pdf | |
![]() | SHS-090FL | SHS-090FL HITACHI SMD or Through Hole | SHS-090FL.pdf | |
![]() | 7311NA-181K | 7311NA-181K SAGAMI 7311NA | 7311NA-181K.pdf | |
![]() | BC355 | BC355 ORIGINAL to-92 | BC355.pdf |