창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-80R-JMDSS-G-1-TF(S) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | 80R-JMDSS-G-1-TF(S) | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SMD or Through Hole | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | 80R-JMDSS-G-1-TF(S) | |
관련 링크 | 80R-JMDSS-G, 80R-JMDSS-G-1-TF(S) 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | ECQ-E6473JF9 | 0.047µF Film Capacitor 630V Polyester, Metallized Radial 0.472" L x 0.256" W (12.00mm x 6.50mm) | ECQ-E6473JF9.pdf | |
![]() | 416F25013ILR | 25MHz ±10ppm 수정 12pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F25013ILR.pdf | |
![]() | P1173.273NLT | 27µH Shielded Wirewound Inductor 3.4A 45.9 mOhm Max Nonstandard | P1173.273NLT.pdf | |
![]() | 2782E+ | 2782E+ DALLAS TSSOP8 | 2782E+.pdf | |
![]() | LE82G31 SLASJ | LE82G31 SLASJ INTEL BGA | LE82G31 SLASJ.pdf | |
![]() | TC115231EMTTR | TC115231EMTTR MICROCHIP SOT89-6 | TC115231EMTTR.pdf | |
![]() | 889480800 | 889480800 MOLEX SMD or Through Hole | 889480800.pdf | |
![]() | R46KN3220 50M1K(0.22UFK 275VAC) | R46KN3220 50M1K(0.22UFK 275VAC) ORIGINAL SMD or Through Hole | R46KN3220 50M1K(0.22UFK 275VAC).pdf | |
![]() | ISL84782 | ISL84782 Intersil TQFN-16TSSOP-16 | ISL84782.pdf | |
![]() | SC1C336M6L005 | SC1C336M6L005 SAMWHA SMD or Through Hole | SC1C336M6L005.pdf | |
![]() | HACC-3R9K-00 | HACC-3R9K-00 Fastron Axial | HACC-3R9K-00.pdf | |
![]() | SKKL57/16E | SKKL57/16E ORIGINAL MODULE | SKKL57/16E.pdf |