창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-757D277H035CG4C | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
표준 포장 | 287 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | Vishay Sprague | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 270µF | |
허용 오차 | - | |
정격 전압 | 35V | |
등가 직렬 저항(ESR) | - | |
수명 @ 온도 | 5000시간(105°C) | |
작동 온도 | -55°C ~ 105°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | - | |
임피던스 | - | |
리드 간격 | 0.197"(5.00mm) | |
크기/치수 | 0.394" Dia(10.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 0.846"(21.50mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 757D277H035CG4C | |
관련 링크 | 757D277H0, 757D277H035CG4C 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | IXFT80N20Q | MOSFET N-CH 200V 80A TO-268 | IXFT80N20Q.pdf | |
![]() | 41J125 | RES 125 OHM 1W 5% AXIAL | 41J125.pdf | |
![]() | AME41-1.2AEATZ. | AME41-1.2AEATZ. AME TO-92-3 | AME41-1.2AEATZ..pdf | |
![]() | CT622LY100K | CT622LY100K CENTRALTECHNOLOGIES SMD or Through Hole | CT622LY100K.pdf | |
![]() | FP-20-1.27-06 | FP-20-1.27-06 ENPLAS SMD or Through Hole | FP-20-1.27-06.pdf | |
![]() | MJS4A-R | MJS4A-R BEL SMD or Through Hole | MJS4A-R.pdf | |
![]() | AD737JR-5 | AD737JR-5 AD 8-SOIC | AD737JR-5.pdf | |
![]() | TK11128 | TK11128 TOKO SMD or Through Hole | TK11128.pdf | |
![]() | MAX481ECPA | MAX481ECPA MAXIM DIP | MAX481ECPA.pdf | |
![]() | TCSCN0G686MDAR | TCSCN0G686MDAR SAMSUNG SMD | TCSCN0G686MDAR.pdf | |
![]() | T493C335M025BH | T493C335M025BH KEMET SMD or Through Hole | T493C335M025BH.pdf | |
![]() | rtl8982-gr | rtl8982-gr REALTEK QFP128 | rtl8982-gr.pdf |