창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-744760315C | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 744760315C | |
| 설계 리소스 | WE-KI 0805 S-Parameters | |
| 주요제품 | Ceramic Wirewound RF Inductors | |
| 3D 모델 | 74476zzzz.igs 74476zzzz.stp | |
| 카탈로그 페이지 | 1803 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 인덕터, 코일, 초크 | |
| 제품군 | 고정 인덕터 | |
| 제조업체 | Wurth Electronics Inc | |
| 계열 | WE-KI | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 유형 | 권선 | |
| 소재 - 코어 | 세라믹 | |
| 유도 용량 | 1.5µH | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 정격 전류 | 130mA | |
| 전류 - 포화 | - | |
| 차폐 | 비차폐 | |
| DC 저항(DCR) | 5.3옴최대 | |
| Q @ 주파수 | 20 @ 25MHz | |
| 주파수 - 자기 공진 | 200MHz | |
| 등급 | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 125°C | |
| 주파수 - 테스트 | 7.9MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 비표준 | |
| 크기/치수 | 0.090" L x 0.067" W(2.29mm x 1.70mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 0.058"(1.48mm) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 732-1804-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 744760315C | |
| 관련 링크 | 744760, 744760315C 데이터 시트, Wurth Electronics Inc 에이전트 유통 | |
![]() | 416F271X3CKR | 27.12MHz ±15ppm 수정 8pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F271X3CKR.pdf | |
![]() | WSLP39214L000JEA | RES SMD 0.004 OHM 5% 5W 3921 | WSLP39214L000JEA.pdf | |
![]() | RNF14BTE1K67 | RES 1.67K OHM 1/4W .1% AXIAL | RNF14BTE1K67.pdf | |
![]() | LFXTAL003166REEL | LFXTAL003166REEL IQD SMD or Through Hole | LFXTAL003166REEL.pdf | |
![]() | LM1117LD-ADJ/NOPB | LM1117LD-ADJ/NOPB NS DFN8 | LM1117LD-ADJ/NOPB.pdf | |
![]() | 54F157A-CEA | 54F157A-CEA S DIP | 54F157A-CEA.pdf | |
![]() | LFEC3-3E-3FN672I | LFEC3-3E-3FN672I LATTICE BGA | LFEC3-3E-3FN672I.pdf | |
![]() | GF20D | GF20D N/A SMD | GF20D.pdf | |
![]() | KXPC857TZP80 | KXPC857TZP80 on SMD or Through Hole | KXPC857TZP80.pdf | |
![]() | RN55D7501F | RN55D7501F TRWLSIPRODUCTSINC ORIGINAL | RN55D7501F.pdf | |
![]() | D64TS3 | D64TS3 GEN/ON TO-3 | D64TS3.pdf | |
![]() | 6.3V 4.7U A | 6.3V 4.7U A nichicon 3216A | 6.3V 4.7U A.pdf |