창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-7447480152 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 7447480152 | |
| 3D 모델 | WE-TI_1014.igs WE-TI_1014.stp | |
| PCN 설계/사양 | Marking Chg 1/Sept/2015 WE-TI y0yyy Series 15/Mar/2016 | |
| PCN 기타 | WE-TI,WE-TIS series 11/Dec/2014 | |
| 종류 | 인덕터, 코일, 초크 | |
| 제품군 | 고정 인덕터 | |
| 제조업체 | Wurth Electronics Inc | |
| 계열 | WE-TI | |
| 포장 | 트레이 | |
| 부품 현황 | * | |
| 유형 | 권선 | |
| 소재 - 코어 | 페라이트 | |
| 유도 용량 | 1.5mH | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 정격 전류 | 680mA | |
| 전류 - 포화 | 600mA | |
| 차폐 | 비차폐 | |
| DC 저항(DCR) | 1.8옴최대 | |
| Q @ 주파수 | - | |
| 주파수 - 자기 공진 | 950kHz | |
| 등급 | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 125°C | |
| 주파수 - 테스트 | 1kHz | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 방사 | |
| 크기/치수 | 0.413" Dia(10.50mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 0.571"(14.50mm) | |
| 표준 포장 | 80 | |
| 다른 이름 | 732-4200 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 7447480152 | |
| 관련 링크 | 744748, 7447480152 데이터 시트, Wurth Electronics Inc 에이전트 유통 | |
![]() | CRCW0805294KFKEB | RES SMD 294K OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW0805294KFKEB.pdf | |
![]() | CD54HCT40103F3A | CD54HCT40103F3A ORIGINAL CDIP | CD54HCT40103F3A.pdf | |
![]() | MUN5135DW1 | MUN5135DW1 ON SOT-363 | MUN5135DW1.pdf | |
![]() | M37211M2-506SP | M37211M2-506SP MIT DIP52 | M37211M2-506SP.pdf | |
![]() | IRF630MFP - A26464 | IRF630MFP - A26464 STM SMD or Through Hole | IRF630MFP - A26464.pdf | |
![]() | HPZ1608U221 | HPZ1608U221 ORIGINAL SMD | HPZ1608U221.pdf | |
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![]() | CB-ACC-36 | CB-ACC-36 ORIGINAL SMD or Through Hole | CB-ACC-36.pdf | |
![]() | HZM27B | HZM27B HITACHI SOT-23 | HZM27B.pdf | |
![]() | RK73H1JTTD14R0F | RK73H1JTTD14R0F KOA SMD or Through Hole | RK73H1JTTD14R0F.pdf | |
![]() | LC80012001G | LC80012001G SIP SMD or Through Hole | LC80012001G.pdf | |
![]() | A3R1GE4EGF-G8E DDR2 1G | A3R1GE4EGF-G8E DDR2 1G ZENTEL SMD or Through Hole | A3R1GE4EGF-G8E DDR2 1G.pdf |