창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-7447021 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 7447021 | |
| 3D 모델 | 7447021.igs 7447021.stp | |
| 카탈로그 페이지 | 1836 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 인덕터, 코일, 초크 | |
| 제품군 | 고정 인덕터 | |
| 제조업체 | Wurth Electronics Inc | |
| 계열 | WE-FI | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | * | |
| 유형 | 토로이드 | |
| 소재 - 코어 | 페라이트 | |
| 유도 용량 | 100µH | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 정격 전류 | 2A | |
| 전류 - 포화 | - | |
| 차폐 | 비차폐 | |
| DC 저항(DCR) | 80m옴최대 | |
| Q @ 주파수 | - | |
| 주파수 - 자기 공진 | - | |
| 등급 | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 105°C | |
| 주파수 - 테스트 | 10kHz | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 방사 | |
| 크기/치수 | 0.728" Dia x 0.374" W(18.50mm x 9.50mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 표준 포장 | 1,800 | |
| 다른 이름 | 732-1424 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 7447021 | |
| 관련 링크 | 7447, 7447021 데이터 시트, Wurth Electronics Inc 에이전트 유통 | |
![]() | EKY-250EC3470ME11D | 47µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | EKY-250EC3470ME11D.pdf | |
![]() | EGXE351ELL330ML25S | 33µF 350V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 125°C | EGXE351ELL330ML25S.pdf | |
![]() | PM124SH-220M-RC | 22µH Shielded Wirewound Inductor 3A 67.5 Ohm Max Nonstandard | PM124SH-220M-RC.pdf | |
![]() | 9405R-28 | 22µH Shielded Inductor 278mA 2.8 Ohm Max Radial | 9405R-28.pdf | |
![]() | HD6805W1D51PJ | HD6805W1D51PJ HIT DIP-40 | HD6805W1D51PJ.pdf | |
![]() | AMH461/CH | AMH461/CH InternationalRectifier SMD or Through Hole | AMH461/CH.pdf | |
![]() | KM6264BLS-8 | KM6264BLS-8 SAMSUNG SMD or Through Hole | KM6264BLS-8.pdf | |
![]() | ZXCL1300H5 | ZXCL1300H5 ZETEX SMD or Through Hole | ZXCL1300H5.pdf | |
![]() | CLVCC3245AIPWRG4EP | CLVCC3245AIPWRG4EP TI Original | CLVCC3245AIPWRG4EP.pdf | |
![]() | A3P600-PQ208I | A3P600-PQ208I ACTEL SMD or Through Hole | A3P600-PQ208I.pdf | |
![]() | 1DI75H-120 | 1DI75H-120 FUJI IGBT | 1DI75H-120.pdf | |
![]() | K4S161622DTC-10 | K4S161622DTC-10 SAMSUNG TSOP | K4S161622DTC-10.pdf |