창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-6HP04MH-TL-W | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 6HP04MH | |
PCN 설계/사양 | Raw Material Change 22/Jul/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Site Addition 20/Jan/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 370mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.2옴 @ 190mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.84nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 24.1pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 600mW | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 3-SMD, 플랫 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | SC-70FL/MCPH3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 6HP04MH-TL-W | |
관련 링크 | 6HP04MH, 6HP04MH-TL-W 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
RNE0E681MDN1 | 680µF 2.5V Aluminum - Polymer Capacitors Radial, Can 8 mOhm 2000 Hrs @ 105°C | RNE0E681MDN1.pdf | ||
VJ0805D361GLAAT | 360pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D361GLAAT.pdf | ||
SDR0906-331KL | 330µH Unshielded Wirewound Inductor 500mA 1.27 Ohm Max Nonstandard | SDR0906-331KL.pdf | ||
H834R8DZA | RES 34.8 OHM 1/4W 0.5% AXIAL | H834R8DZA.pdf | ||
AD7661ASTZRL | AD7661ASTZRL ADI SMD or Through Hole | AD7661ASTZRL.pdf | ||
S-872622BUP | S-872622BUP SEIKO SOT89-5 | S-872622BUP.pdf | ||
HW-USB-II-G( | HW-USB-II-G( XILINX SMD or Through Hole | HW-USB-II-G(.pdf | ||
G6AK-234P-48V | G6AK-234P-48V OMRON SMD or Through Hole | G6AK-234P-48V.pdf | ||
HL-52203TGC | HL-52203TGC HI-LIGHT ROHS | HL-52203TGC.pdf | ||
HZS12B1TA | HZS12B1TA HITACHI DO-35 | HZS12B1TA.pdf | ||
HD64F2265FA20 | HD64F2265FA20 HITACHI SMD or Through Hole | HD64F2265FA20.pdf | ||
LTBZW | LTBZW LINEAR SMD or Through Hole | LTBZW.pdf |