창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-660C30AED25 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 660C,660R | |
| 3D 모델 | 660C,660R.stp | |
| PCN 설계/사양 | 660 Series Potting Material 23/Apr/2014 | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Vishay BC Components | |
| 계열 | Cera-Mite 660C | |
| 포장 | 벌크 | |
| 정전 용량 | 2500pF | |
| 허용 오차 | -20%, +80% | |
| 전압 - 정격 | 30000V(30kV) | |
| 온도 계수 | Z5U | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 축방향 | |
| 크기/치수 | 1.457" Dia x 0.748" L(37.00mm x 19.00mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | - | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | 고전압 | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 10 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 660C30AED25 | |
| 관련 링크 | 660C30, 660C30AED25 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 7A-26.000MAAJ-T | 26MHz ±30ppm 수정 18pF 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7A-26.000MAAJ-T.pdf | |
![]() | 416F32023ALT | 32MHz ±20ppm 수정 12pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F32023ALT.pdf | |
![]() | CAT10-560J4LF | RES ARRAY 4 RES 56 OHM 0804 | CAT10-560J4LF.pdf | |
![]() | ESW156M063AE3AA | ESW156M063AE3AA ARCOTRNI SMD or Through Hole | ESW156M063AE3AA.pdf | |
![]() | 22050701CIS | 22050701CIS UNKNOWN SMD or Through Hole | 22050701CIS.pdf | |
![]() | LP2951ACSD | LP2951ACSD NS SMD or Through Hole | LP2951ACSD.pdf | |
![]() | SOT-23 4.7V | SOT-23 4.7V ORIGINAL SMD or Through Hole | SOT-23 4.7V.pdf | |
![]() | 20RA10-25QMB | 20RA10-25QMB CY CWLCC28 | 20RA10-25QMB.pdf | |
![]() | SIGC121T60NR2C | SIGC121T60NR2C INF SMD or Through Hole | SIGC121T60NR2C.pdf | |
![]() | D17215GT-538 | D17215GT-538 NEC SOP28 | D17215GT-538.pdf | |
![]() | R3112D141C-FB | R3112D141C-FB RICOH SMD or Through Hole | R3112D141C-FB.pdf | |
![]() | 13192DSK-A0E | 13192DSK-A0E Freescale SMD or Through Hole | 13192DSK-A0E.pdf |