창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-660C10AES10 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 660C,660R | |
| 3D 모델 | 660C,660R.stp | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Vishay BC Components | |
| 계열 | Cera-Mite 660C | |
| 포장 | 벌크 | |
| 정전 용량 | 10000pF | |
| 허용 오차 | -20%, +80% | |
| 전압 - 정격 | 10000V(10kV) | |
| 온도 계수 | Z5U | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 축방향 | |
| 크기/치수 | 1.457" Dia x 0.433" L(37.00mm x 11.00mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | - | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | 고전압 | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 10 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 660C10AES10 | |
| 관련 링크 | 660C10, 660C10AES10 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | LP122F33CDT | 12.288MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP122F33CDT.pdf | |
![]() | SIT9120AI-2D2-XXE156.250000T | OSC XO 156.25MHZ | SIT9120AI-2D2-XXE156.250000T.pdf | |
![]() | IXFH20N80P | MOSFET N-CH 800V 20A TO-247 | IXFH20N80P.pdf | |
![]() | RE1206DRE0746R4L | RES SMD 46.4 OHM 0.5% 1/4W 1206 | RE1206DRE0746R4L.pdf | |
![]() | AXK5F32335J | AXK5F32335J NAIS Connector | AXK5F32335J.pdf | |
![]() | MTB2955VL | MTB2955VL ORIGINAL SMD or Through Hole | MTB2955VL.pdf | |
![]() | ICS8543BG | ICS8543BG ORIGINAL SMD or Through Hole | ICS8543BG.pdf | |
![]() | AD7880KP | AD7880KP AD PLCC28 | AD7880KP.pdf | |
![]() | 1N4448-7 | 1N4448-7 DIODES SMD | 1N4448-7.pdf | |
![]() | BQ24032RHLR(TI 4AW Z330) | BQ24032RHLR(TI 4AW Z330) Ti QFN-20 | BQ24032RHLR(TI 4AW Z330).pdf | |
![]() | HY57V651620BCT-55 | HY57V651620BCT-55 HYNIX SMD or Through Hole | HY57V651620BCT-55.pdf | |
![]() | WD1E687M10020 | WD1E687M10020 samwha DIP-2 | WD1E687M10020.pdf |