창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-64-2124PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF6218SPbF/LPbF | |
| PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 Material Chg 24/Nov/2015 | |
| PCN 조립/원산지 | Additional Assembly Site 19/Mar/2014 | |
| PCN 부품 상태 변경 | Pkg Type Disc 16/May/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 주문 불가 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 27A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 150m옴 @ 16A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2210pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 250W | |
| 작동 온도 | * | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | IRF6218SPBF IRF6218SPBF-ND SP001553628 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 64-2124PBF | |
| 관련 링크 | 64-212, 64-2124PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | BZW04-15B | TVS DIODE 15.3VWM 32.5VC DO15 | BZW04-15B.pdf | |
![]() | 445W23A30M00000 | 30MHz ±20ppm 수정 10pF 30옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W23A30M00000.pdf | |
![]() | ASDMB-75.000MHZ-XY-T | 75MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 16mA Standby (Power Down) | ASDMB-75.000MHZ-XY-T.pdf | |
![]() | CAT25020V | CAT25020V CSI SOP-8 | CAT25020V.pdf | |
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![]() | MT46V32M8-75 | MT46V32M8-75 N/A NC | MT46V32M8-75.pdf | |
![]() | MA154 | MA154 NS TO-92 | MA154.pdf | |
![]() | VASD1-S24-D9-DIP | VASD1-S24-D9-DIP V-INFINITY DIP | VASD1-S24-D9-DIP.pdf | |
![]() | PDF3632 | PDF3632 ORIGINAL TO-220 | PDF3632.pdf | |
![]() | ILHB0805RK121V | ILHB0805RK121V VISHAY SMD | ILHB0805RK121V.pdf |