창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-63LSQ6800M36X50 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | 63LSQ6800M36X50 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | 63LSQ6800M36X50 | |
| 관련 링크 | 63LSQ6800, 63LSQ6800M36X50 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | 416F32033IKR | 32MHz ±30ppm 수정 8pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F32033IKR.pdf | |
![]() | SMBG43CA | SMBG43CA ORIGINAL DO-214 | SMBG43CA.pdf | |
![]() | K4R761869A-GCT9000 | K4R761869A-GCT9000 SAMSUNG BGA92 | K4R761869A-GCT9000.pdf | |
![]() | MT47H32M16HR3 DDR2-533 | MT47H32M16HR3 DDR2-533 MICRON BGA | MT47H32M16HR3 DDR2-533.pdf | |
![]() | 3.9V 0.5W | 3.9V 0.5W ORIGINAL DIP | 3.9V 0.5W.pdf | |
![]() | 357-036-521-104 | 357-036-521-104 CET SMD or Through Hole | 357-036-521-104.pdf | |
![]() | 694-6-R10K | 694-6-R10K BI DIP8 | 694-6-R10K.pdf | |
![]() | ETOR451CTN222ME79M | ETOR451CTN222ME79M NIPPONCHEMI-COM DIP | ETOR451CTN222ME79M.pdf | |
![]() | 2SA608KE-NP | 2SA608KE-NP SANYO TO-92 | 2SA608KE-NP.pdf | |
![]() | STD17N03F | STD17N03F ST DPAK | STD17N03F.pdf | |
![]() | LMV358IDE4 | LMV358IDE4 TI SOIC | LMV358IDE4.pdf |